US1B-13-F
US1B-13-F参数
| 反向恢复时间（trr） | 50ns | 直流反向耐压（Vr） | 100V |
| 平均整流电流（Io） | 1A | 正向压降（Vf） | 1V @ 1A |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 20pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
US1B-13-F手册
US1B-13-F概述
US1B-13-F 产品概述
US1B-13-F 是一种高性能的快恢复标准二极管，其设计专为高效率应用而开发。该器件由 DIODES（美台）公司制造，采用 SMA 封装，适合表面贴装技术（SMD），以便于现代电子设备的微型化和高密度布局。US1B-13-F 在许多领域中都能提供可靠的性能，特别是在电源管理、开关电源和负载电路中。
主要参数及特性
反向恢复时间 (trr): US1B-13-F 的反向恢复时间为 50 纳秒，这使其在快速开关应用中表现出色。快速恢复能力可以降低开关损耗，从而提高电路的整体效率，尤其是在高频操作中。
直流反向耐压 (Vr): 该二极管具有高达 100V 的直流反向耐压，确保在各种应用中具有良好的保护能力，能够承受高电压瞬态，对电路提供有效的防护。
平均整流电流 (Io): 在 1A 的条件下，US1B-13-F 的平均整流电流最大为 1A。这一参数使其适用于需要中等电流处理的电路，如小型电源适配器和充电器。
正向压降 (Vf): 在 1A 的正向电流下，US1B-13-F 的正向压降为 1V，这一特性有助于降低功耗，并提高电源效率。较低的正向压降也有助于减少电源热量产生，延长设备的使用寿命。
反向泄漏电流: 在 100V 的测试条件下，反向泄漏电流为 5µA，这表示该器件在高电压下表现出良好的绝缘性能，有助于提升系统的整体稳定性。
电容特性: 在 4V 和 1MHz 的操作条件下，US1B-13-F 的电容为 20pF。这一特性在高频应用中尤其重要，因为较低的输入和输出电容可以有效降低信号延迟和失真。
工作温度范围: US1B-13-F 的工作结温范围为 -65°C 至 150°C，适合各种极端环境，确保在严酷的工作条件下仍能保持稳定性能。这使其适用于汽车电子、工业控制以及其它关键应用领域。
应用领域
US1B-13-F 二极管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源：其快速恢复特性和高效率使其非常适合于 AC/DC 和 DC/DC 转换器等开关电源设计，从而有效提高电源变换的效率。
电源适配器：由于其稳定的整流特性和低正向压降，可以保障电源适配器的性能和效率，特别是在充电和适配器设计中。
LED 驱动器：在 LED 驱动应用中，该二极管可以提供必要的整流功能，确保 LED 获得稳定的电流供应。
电机驱动：其快速恢复特性也适合用于电机驱动设计，通过有效抑制反向电流，保护电路组件，延长使用寿命。
总结
US1B-13-F 二极管结合了低正向压降、快速恢复时间和高反向耐压等优异特性，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。其在电源管理及其他多种应用中表现出的高效率和可靠性，确立了其在市场中的良好口碑。选择 US1B-13-F，能够有效提升电子产品的性能和稳定性，并满足日益增长的能效要求。