UMX2NTR
UMX2NTR参数
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 晶体管类型 | 2NPN（双） |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V | 集电极电流Ic（最大值） | 150mA |
| 电流放大倍数hFE（最小值） | 120@1mA，6V | 功率（最大值） | 150mW |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 180MHz | 供应商器件封装 | UMT6 |
UMX2NTR手册
UMX2NTR概述
UMX2NTR 产品概述
UMX2NTR 是一款高性能双NPN三极管，由知名电子元器件制造商ROHM（罗姆）提供。该产品采用SOT-363封装，适用于表面贴装（SMT）技术，使其成为现代电子设计中广泛应用的解决方案。UMX2NTR 在多个领域发挥着至关重要的作用，尤其是在移动设备、消费电子、工业控制、汽车电子等方面。
主要技术规格
封装类型: UMX2NTR的封装为UMT6，这是一个紧凑的表面贴装形式，可有效节省电路板空间。它的尺寸设计使得它在小型化设备中能够提供出色的性能而不占用过多空间。
电压和电流规格:
- 集射极击穿电压 (Vceo): 最大值为50V，适合于各种中低电压应用。
- 集电极电流 (Ic): 最大值为150mA，这一参数保证了在多种工作环境下的高可靠性。
电流放大倍数 (hFE): 在电流为1mA、Vce为6V的条件下，UMX2NTR的电流增益（hFE）最小值为120，确保在信号处理和放大应用中具有优秀的性能。
饱和压降: 在工作条件下（如Ic为5mA或50mA），其Vce饱和压降最大值为400mV，使得该器件在开关应用中表现出色，合理降低了功耗并提高了整体效率。
功率耗散: UMX2NTR 的功率最大值为150mW，且工作温度范围高达150°C，这一设计充分考虑了高温环境下的应用需求，适合用于严苛工作条件的设备。
频率响应: 该三极管的跃迁频率达180MHz，使其适用于需要高频信号处理的应用，如射频放大器和开关电源等。
应用场景
UMX2NTR广泛适用于以下几个领域：
- 消费电子: 由于其小巧的封装和高效率，该产品适合用于手机、平板电脑和其他便携式设备中，提供信号放大和开关功能。
- 汽车电子: 随着汽车电子化的发展，该三极管可用于传感器信号处理、马达驱动和电源管理等多种应用，提供高效稳定的工作表现。
- 工业控制: 在自动化和控制系统中，UMX2NTR可以实现对信号的驱动和放大，适用于运动控制和自动化设备。
- 信号放大: UMX2NTR可用于音频放大器、射频放大器等需要高增益的信号处理设备，确保信号传输的清晰度和稳定性。
设计优势
UMX2NTR三极管的设计充分考虑了现代电子设备的小型化、高效能和可靠性需求。其表面贴装的特性使得在自动化生产线上的应用变得更加便捷，同时节省了制程时间和成本。高温工作能力确保其在高要求环境中的持续运作，极大地提高了系统的整体效率和稳定性。
此外，ROHM作为一家全球知名的半导体制造商，其提供的产品无论在质量、性能还是服务支持上都能保证满足客户的多样化需求。UMX2NTR的推出，是对市场日益增长的高性能电子元件需求的响应，体现了ROHM致力于创新和提供优质产品的承诺。
结论
综上所述，UMX2NTR是一款功能强大且灵活适应多种电子应用的双NPN三极管。其优势在于出色的电性能、高频响、可靠的工作温度以及高度集成的封装设计。这使得UMX2NTR成为现代电子设计中不可或缺的器件，为各种行业的产品设计提供了强大的支持与保障。无论是在消费者市场还是工业应用上，UMX2NTR都表现出色，是电子工程师们值得信赖的选择。