封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 晶体管类型 | 1个NPN,1个PNP-预偏压式(双) |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V | 集电极电流Ic(最大值) | 100mA |
电流放大倍数hFE(最小值) | 30@5mA,5V | 功率(最大值) | 150mW |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
供应商器件封装 | UMT6 |
UMD3NTR 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的双通道数字晶体管,采用现代表面贴装(SMT)技术设计,专为低功耗、中等功率应用而优化。该器件集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,具有预偏压特性,能够简化电路设计,实现高效导通。这种封装形式使其适合用于多种电子设备,尤其是要求空间紧凑的便携式设备和消费电子产品。
预偏置设计: UMD3NTR 的预偏置功能简化了电路设计,减少了外部元件要求,降低了系统成本。同时,该设计改善了切换性能,适用于快速响应的开关应用。
高频响应: 由于其 250MHz 的频率特性,UMD3NTR 在高频开关应用中表现出色,能够满足市场对于快速动态响应的需求。
低功耗特性: 低待机电流(最大 500nA)使其成为低功耗设备(如便携式消费电子产品、传感器等)的理想选择,进一步延长了电池寿命。
小型化封装: 微型 UM6 封装形式(SOT-363)使 UMD3NTR 特别适合于空间受限的应用,如移动设备和小型家用电器。
易于使用: 本产品的简单应用电路设计,不只节省了设计时间,也减少了布线复杂度,使产品开发过程更加高效。
UMD3NTR 适用于多种电气设备,包括但不限于:
UMD3NTR 是一款高性能、低功耗的双晶体管解决方案,优化了电路设计,适用于多种消费电子和工业应用。凭借其优越的电气特性和紧凑的封装,UMD3NTR 为设计工程师提供了更大的灵活性与效率。无论是在高频开关、低功耗待机电路,还是在需要空间节省的应用环境中,UMD3NTR 都能够满足用户的需求,是许多电子产品不可或缺的核心元件。