功率(Pd) | 50W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 310mΩ@10V,7.5A | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
漏源电压(Vdss) | 600V | 类型 | 1个N沟道 |
产品简介
TK15A60D(STA4,X,M) 是东芝(TOSHIBA)公司推出的一款专业级场效应晶体管(MOSFET),采用TO-220-3封装,广泛应用于电源转换、开关电路和其他需要高效率、低损耗的电子电路中。这款MOSFET具有优异的电气特性和可靠性,符合现代电子产品对性能与节能的严格要求。
封装特性
TK15A60D采用TO-220-3封装,该封装特点为其良好的散热性能和较大的接触面,适合高功率应用。TO-220封装的结构设计使得MOSFET可以方便地与散热器结合,降低工作温度,从而提高元器件的可靠性和工作寿命。
电气特性
TK15A60D具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻(R_DS(on)),这意味着它在导通状态下能有效减少功耗,提升性能。该MOSFET的最大漏电流(I_D)为15A,最大漏源电压(V_DS)为600V,适合于高压驱动应用。同时,TK15A60D的开关速度快,适合快速开关和PWM调制应用,这使其在电源管理、马达驱动等领域具备优势。
应用领域
开关电源(SMPS):TK15A60D在开关电源中经常被用作主开关元件,通过快速切换来帮助转换电压,效率高且损耗低。
电机驱动:在直流电动机和步进电机的驱动电路中,TK15A60D能够提供高效的控制,提升电动机的工作性能和响应速度。
照明控制:在LED驱动和照明控制系统中,TK15A60D可用作开关元件,控制光源的开关和调节亮度,适合智能照明应用。
电能转换:可用于各种电能转换装置,如逆变器和DC-DC转换器等,与其他元器件结合能显著提升系统效率。
建议应用设计
在使用TK15A60D设计电路时,建议采取适当的散热设计,以确保MOSFET能在最佳温度范围内工作。合理选择驱动电路,以及控制其开关频率,可以有效提高系统的整体效率和响应时间。在高负载情况下,应特别注意其温度控制,避免因过热导致MOSFET损坏。
可靠性与质量
东芝作为知名的半导体制造商,TK15A60D(STA4,X,M)的生产过程经过严格的质量控制,以确保每一颗器件都能达到高标准的性能要求。此外,这款MOSFET在极端工作条件下的可靠性测试,进一步证明了其在严苛环境中的稳定性,能够满足各种工业应用的需求。
总结
TK15A60D(STA4,X,M)以其高效率、高可靠性和良好的工作性能,成为现代电子设备中不可或缺的一部分。它的应用不仅限于上面提到的领域,其出色的特性也让它在不同行业中展现出巨大的潜力。随着电子技术的不断发展,TK15A60D将继续为各类创新项目提供强有力的技术支持。对于设计工程师而言,这款MOSFET是实现高性能电路设计的理想选择。