SVF10N60F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SVF10N60F

商品编码: BM0000287451
品牌 : 
SILAN(士兰微)
封装 : 
TO-220F 塑封
包装 : 
-
重量 : 
2.44g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 600V 10A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.26
按整 :
-(1-有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.26
--
50+
¥1.74
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

SVF10N60F参数

漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)类型N沟道

SVF10N60F手册

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SVF10N60F概述

SVF10N60F 产品概述

一、基本信息

SVF10N60F 是一款由士兰微(Silan)生产的 N 沟道场效应管(MOSFET),其封装形式为 TO-220F,适合于多种高压、高功率应用。该产品最大漏源电压为 600V,能够承受的连续漏极电流为 10A(在 25°C 温度条件下),并具备较低的漏源导通电阻 1Ω(在 5A 和 10V 的测试条件下),其最大功率耗散能力为 50W(在环境温度为 25°C 时)。这些参数使得 SVF10N60F 在电力电子和高压应用中具有广泛的适用性。

二、产品特性

  1. 高压性能: SVF10N60F 的漏源电压 Vdss 高达 600V,意味着该MOSFET 能够在高压环境中正常工作,适合用于开关电源、逆变器、马达驱动等电力转换设备。

  2. 高电流处理能力: 该器件的连续漏极电流(Id)为 10A,提供了良好的电流处理能力。这在实际应用中,尤其是在电源转换和控制领域,可以确保系统的稳定性和安全性。

  3. 低导通电阻: SVF10N60F 的漏源导通电阻达到 1Ω(在5A和10V下测试),较低的导通电阻意味着在高电流工作时可以显著降低功耗及发热,提高整体效率。

  4. 合理的功率耗散: 最大功率耗散为 50W,使其可以在较高功率条件下运行而不会过热。在实际应用中,合理的散热设计可以进一步提升其工作性能。

  5. 阈值电压: 该器件的栅源极阈值电压为 4V(在 250uA 下测得),这使得 SVF10N60F 可与多种驱动电路兼容,便于在低电压条件下实现高效开关控制。

三、应用场景

SVF10N60F 的设计使其非常适合用于以下几个主要场景:

  1. 开关电源: 在各种电源转换应用中,包括AC/DC转换、DC/DC变换器,该MOSFET能够高效地实现开关控制,从而提高系统的能量转换效率。

  2. 逆变器: 在可再生能源系统中,如太阳能逆变器和风能逆变器,SVF10N60F 可以作为功率开关,用于将直流电转换为交流电,提供给电网或负载。

  3. 马达驱动: 在电动机控制系统中,该器件能作为高效的开关元件,实现对电机的驱动和控制,适用于各类电动工具和电动车辆。

  4. 照明设备: 该MOSFET 也可在LED驱动电源中使用,作为开关元件,实现精确的照明控制。

四、结论

SVF10N60F 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,其600V的高压特性、出色的电流处理能力、低导通电阻和合理的功率耗散能力,使得它在多种电力电子应用中具备显著优势。无论是在电源供应、马达控制还是逆变器等领域,这款MOSFET都是一个可靠的选择。随着电子设备对高效、高可靠性元件需求的不断提升,SVF10N60F 将凭借其优异的性能,成为市场中广泛应用的重要电子元器件之一。