漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 50A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 15mΩ @ 17A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.5W | 类型 | P沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 165nC @ 10V | 安装类型 | 表面贴装型 |
Vgs(最大值) | ±20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tc) | FET 类型 | P 通道 |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),113W(Tc) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4950pF @ 25V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 17A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
产品概述:SUD50P06-15-GE3 P沟道 MOSFET
一、产品简介
SUD50P06-15-GE3 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由著名的威世(VISHAY)品牌制造。该器件设计用于需要高电流和高电压的电子电路,广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能电子开关的设备。其可靠的性能与多样的应用使其在电子设计中成为不可或缺的元件。
二、关键规格
三、性能特点
高功率处理能力:SUD50P06-15-GE3 的设计允许其在高达 113W 的功率消散下正常工作,适合各种高负载的应用场景。
低导通电阻:该MOSFET在 10V 驱动下,导通电阻仅为 15mΩ,这表明在开关工作状态下,几乎可以忽略的能量损耗和发热,确保了电路的高效能。
宽广的工作温度范围:该产品能够在极端环境下稳定运行,从 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围使其适用于汽车、工业与军事等应用领域的严酷环境。
表面贴装设计:TO-252/D-Pak 封装提升了装置的集成度和自动化生产的效率,同时良好的热管理特性有助于降低整体系统的热量。
四、应用领域
SUD50P06-15-GE3 在多个领域中获得广泛应用,具体包括:
五、总结
作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET,SUD50P06-15-GE3 结合了出色的电流承载能力、低导通电阻以及宽温工作范围,极大地提高了各种电子应用中的可靠性和性能。其先进的技术及品质保证了其在业内的领先地位,使其成为现代电子设计中的重要组成部分。在开发高性能电子应用时,选择 SUD50P06-15-GE3 将是一个理想的选择。