STW40N60M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247
包装 :
管装
重量 :
6.985g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 600V 34A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
33.56按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥33.56
--
10+
￥29.97
--
600+
￥28.82
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW40N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 34A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 88mΩ @ 17A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 88 毫欧 @ 17A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 57nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2500pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW40N60M2手册
STW40N60M2概述
STW40N60M2 产品概述
1. 产品概述
STW40N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，专为高电压和高电流应用设计。这款MOSFET具有600V的漏源电压（Vdss）和34A的连续漏极电流（Id @ 25°C），能够满足多种电源管理、开关电源和转换器等领域的需求。得益于其优越的技术特点，STW40N60M2在现代电子设计中提供了卓越的效率和可靠性。
2. 关键参数
漏源电压（Vdss）: 600V
STW40N60M2的高电压能力使其适用于需要高电压操作的应用，如工业电源和高压变换器。连续漏极电流（Id）: 34A @ 25°C
该产品在温度为25°C的条件下能够提供高达34A的电流，无论是在电源转换中，还是在电机驱动等场合都具有良好的适应性。导通电阻（Rds(on)）: 88mΩ @ 17A, 10V
低导通电阻大幅降低了开关损耗，使得STW40N60M2在高频应用下保持优秀的热性能和能效。栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
为驱动电路的设计提供适应性，栅极电压只需4V即能有效开启该MOSFET，有助于降低驱动电压的要求并提升系统的兼容性。最大功率耗散: 250W @ Tc
STW40N60M2的设计允许在高输入和负载条件下稳定运行，其卓越的功率耗散能力使其在复杂的电源转换应用中表现出色。
3. 应用领域
STW40N60M2被广泛应用于多个领域，特别是需要高电压和高电流的应用，主要包括：
- 开关电源（SMPS）: STW40N60M2能够有效地控制输入和输出电压，确保电源在各类负载条件下稳定运行。
- 逆变器: 作为高效后级开关，STW40N60M2可用于太阳能逆变器和其他类型的电源逆变器中。
- 电机驱动: 该MOSFET通过提供高电流能力，适用于各种电机控制应用，包括步进电机和无刷电机驱动。
- 能量转换与储存系统: 在电池管理系统及能量转换装置中，其高功率容量和低损耗特性，使其成为理想选择。
4. 使用优势
- 高效率: STW40N60M2的低Rds(on) 确保了在开关操作时的工作效率，减少了热量产生。
- 耐高温环境: 具备-55°C至150°C的工作温度范围，使得该器件在严酷环境下运行仍具备稳定性。
- 标准TO-247封装: 便于散热，易于安装，适用于各种电路板设计与布局，提升了组件的整体可靠性。
5. 结论
STW40N60M2是意法半导体的一款极具竞争力的N沟道MOSFET，因其高电压、高电流特性以及优良的热管理性能而广受青睐。在当前对高效率、高可靠性电子元器件需求日益增大的背景下，该MOSFET无疑为各种高压电源解决方案提供了卓越支持，是设计工程师的理想选择。