STW10NK80Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 160W 800V 9A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.76按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.76
--
10+
￥5.2
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW10NK80Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A(Tc) |
| 漏源导通电阻 | 900mΩ @ 4.5A,10V | 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 160W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2180pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW10NK80Z手册
STW10NK80Z概述
STW10NK80Z 产品概述
概述
STW10NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，能够在满足高电压和高电流要求的应用中表现出色。其漏源电压（Vdss）高达 800V，连续漏极电流（Id）为 9A（在 25°C 的条件下），并且在关键参数上展现出优良的性能。这使得 STW10NK80Z 特别适合用于电源管理、逆变器、马达驱动和高频开关应用等多种场合。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 800V
- 连续漏极电流 (Id): 9A (Tc)
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 900mΩ @ 4.5A, 10V
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 100µA
- 最大功率耗散: 160W (Ta=25°C)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C (TJ)
- 封装类型: TO-247-3
应用场景
STW10NK80Z 的高漏源电压和操作电流使其非常适合在高电压电源转换器、开关电源（SMPS）、焊接设备以及电动工具等应用中使用。MOSFET 的高功率耗散能力（160W）确保其在恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
此外，由于其低导通电阻（Rds(on)），该器件在导通状态下能有效减少功率损耗，并提高系统的整体效率。这一点在要求高效率和低热量的应用中尤为重要。例如，在逆变器设计中，STW10NK80Z 可显著降低热管理的复杂性，延长设备的使用寿命。
设计优势
- 高效率: 由于具有低导通电阻，STW10NK80Z 可以显著降低功率损失，提升整体能源利用率。
- 高耐压: 800V 的漏源电压为高电压应用提供了出色的解决方案，尤其是在需要耐受高浪涌或瞬态电压的环境下。
- 宽广的工作温度范围: -55°C 到 150°C 的工作温度范围使 MOSFET 适应多种工作环境，提供了更灵活的应用可能性，尤其是在极端温度下设备依然能够稳定工作。
- TO-247-3 封装: 该封装形式的热管理性能良好，适合高功率的应用，且适合通孔安装，方便在多种电路板上使用。
结论
STW10NK80Z 是一款结合高性能和高可靠性的 N 沟道 MOSFET，适合各类需要高电压和高电流的电子应用。凭借其杰出的导通特性和强大的耐压能力，STW10NK80Z 可以帮助设计师和开发人员在构建高效电源管理系统时降低设计难度，同时优化系统性能。无论是在逆变器、电源转换器，还是在各种工业设备中，STW10NK80Z 都能成为理想的选择，支持高效能和耐用性的电子产品开发。