STQ1HNK60R-AP
STQ1HNK60R-AP参数
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 156pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
STQ1HNK60R-AP手册
STQ1HNK60R-AP概述
STQ1HNK60R-AP 产品概述
STQ1HNK60R-AP 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道场效应管（MOSFET），其主要用于电源管理、开关应用和信号调节等多种领域。该器件的设计优化了高压应用的性能，特别适合需要高漏源极电压和高效率的电子设备。
基础参数
该 MOSFET 的封装形式为 TO-92-3 和 TO-226-3，采用通孔（THT）安装方式，便于与各种电路板兼容。这种设计使得 STQ1HNK60R-AP 操作简单并且可靠，适用于不同的PCB设计。产品支持的典型雷管范围使其可广泛应用于家庭电器、工业控制、汽车电子等多个领域。
电气特性
STQ1HNK60R-AP 的漏源极电压（Vdss）高达 600V，能够承受压力大的工作环境，在大部分高压电源变换电路中均可放心使用。此外，该器件的连续漏极电流（Id）在 25°C 的环境温度下可达 400mA，表明其在相应的负载条件下的强大驱动能力。
MOSFET 的栅源电压（Vgss）为 ±30V，使用者可以利用这一特性灵活控制栅极，确保其在各种工作条件下的稳定性。同时，该器件在 10V 驱动电压下，导通电阻的最大值为 8.5 欧姆（@ 500mA），表明在正常操作情况下的低电阻性能，有助于减小功率损耗。
功率和热管理
STQ1HNK60R-AP 的最大功率耗散能力为 3W，这为其在高温环境下的应用提供了良好的基础。在 25°C 的工作条件下，该器件的工作温度范围广泛，能够在 -55°C 至 150°C 的环境中稳定运行，特别适合于工业和汽车应用中可能遇到的极端温度变化。
开关特性
该器件的栅极电荷（Qg）在 10V 驱动下最大为 10nC，这一低电荷特性意味着在开关频率较高的操作中，能够有效降低开关损耗，从而提高系统的整体效率。同时，其输入电容（Ciss）在 25V 时达到最大为 156pF，这意味着 STQ1HNK60R-AP 可实现快速的开关速度，减少了开关过程中的延迟时间。
可靠性和应用场景
作为一款高性能 N 通道 MOSFET，STQ1HNK60R-AP 的设计在符合工业标准的同时，不断优化其可靠性。在诸如开关电源、驱动电机、直流电机控制以及其他需要高效率、高压处理的电源管理系统中都表现出色。其出色的电气特性与环境适应能力使其成为设计工程师的首选器件。
总结
STQ1HNK60R-AP 是一款能够满足多种工业需求的高性能 N 通道 MOSFET。其高压能力、低导通电阻、良好的热管理以及快速开关特性，确保其在要求严苛的电气和温度条件下的稳定性和可靠性。无论是在家用电器、汽车电子还是工业控制等领域，STQ1HNK60R-AP 都能够提供强大的支持，是追求高效能设计的理想选择。