STP8NK80ZFP
STP8NK80ZFP参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 800V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1320pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220FP |
STP8NK80ZFP手册
STP8NK80ZFP概述
STP8NK80ZFP 产品概述
基本信息
STP8NK80ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，适用于多种高压与高电流应用。其采用TO-220-3封装，具有优良的散热性和可焊性，适合通孔安装（THT），为设计师提供了良好的设计灵活性和电路布局的便利性。
关键特性
漏源极电压（Vdss）: 该MOSFET的最大漏源极电压为800V，使其能够承受高电压应用，能够有效地满足各种工业与商业电源管理需求。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，最大连续漏极电流为6.2A，此特性表明在标准工作条件下该器件能够传输相对较大的电流，非常适用于电源开关及马达驱动等应用。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅源电压下，导通电阻的最大值为1.5Ω（在3.1A条件下），这在提高开关效率的同时，能够有效降低在传导状态下的功耗，提升系统整体能效。
栅源电压（Vgss）: 支持±30V的栅源电压范围，适用于多种驱动电路，能够满足不同控制信号输出的需求。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为46nC（在10V条件下），该特性表明在开关频率较高的应用中，该MOSFET能实现较快速的开关响应，为高效开关电源设计提供理论支持。
功率耗散: 最大功率耗散为30W，承载能力出色，能够在多种工况下稳定运行，适用于高功率密度的设备。
工作温度范围: 能在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作，使其能够满足严苛环境下的应用需求，如汽车电子及工业设备等。
应用场景
STP8NK80ZFP 得益于其高电压、高电流能力及优良的热性能，广泛应用于:
- 开关电源: 由于其低导通损耗和高工作效率，可用作开关电源的开关元件，提升电源转换效率。
- 马达驱动: 在电动机控制单元中，能够实现高效的马达控制，实现灵活的调速和启停控制。
- 电动工具: 高能效和小型化是电动工具发展的趋势，该器件在电动工具中能够有效满足其对高性能的需求。
- 消费电子: 在LED灯驱动、电池管理系统等消费电子产品中，STP8NK80ZFP可用作关键的功率控制器件。
- 工业控制: 适用于各种工业设备的控制与管理，能够在恶劣的工作环境中提供稳定的性能。
结论
STP8NK80ZFP是意法半导体推出的一款性能稳定、可靠性高的N沟道MOSFET，具备广泛的应用前景。其高电压承受能力、合适的电流范围、以及优良的热特性使其成为众多高性能电源及驱动电路设计的首选元件。设计师在选用此类元件时需考虑其工作环境和负载条件，以确保其在最佳状态下运行。通过充分利用STP8NK80ZFP的特性，可以为产品的创新与升级提供高效的支撑。