注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STP60NF10
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 300W 100V 80A 1个N沟道 TO-220-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.19按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.19
--
100+
￥2.55
--
1000+
￥2.36
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP60NF10参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 40A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 104nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4270pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP60NF10手册
STP60NF10概述
STP60NF10 产品概述
概述
STP60NF10 是意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有100V的漏源极电压（Vdss）和80A的连续漏极电流（Id），封装类型为TO-220-3。这款 MOSFET 适用于各种需要高电流高电压的功率电子应用，如电源转换器、马达驱动、电灯调光器以及其他需要高效率开关的电路。
技术参数
封装类型: TO-220-3
- TO-220 封装是功率MOSFET应用中常见的封装形式，具备良好的散热性能和较大的安装面积，适合处理高功率应用。
漏源极电压 (Vdss): 100V
- STP60NF10 可承受的最大电压为100V，使其适合在高电压应用中使用。
连续漏极电流 (Id): 80A
- 在适当的冷却条件下（热沉），该MOSFET能够持续输出高达80A的电流，满足高电流应用的需求。
导通电阻 (Rds(on)): 最大值为23毫欧（@ 40A，10V）
- 低导通电阻意味着在导通状态下功耗较小，从而提升整体能效。
栅源电压 (Vgs): ±20V
- 提供相对较宽的栅源电压范围，适合多种驱动电压条件。
栅极电荷 (Qg): 最大值104nC（@ 10V）
- 栅极电荷的数值对开关速度有直接影响，较低的Qg值有助于提高开关频率，降低开关损耗。
输入电容 (Ciss): 最大值4270pF（@ 25V）
- 输入电容的大小影响MOSFET的驱动功率和开关特性，较低的值使其更易于驱动。
功率耗散 (Pd): 最大值300W
- 高的功率耗散能力使得该MOSFET可在高负载条件下安全运行，降低了过热和损坏的风险。
应用场景
STP60NF10 的设计使其在多种应用中表现优异，包括但不限于：
开关电源 (SMPS):
- 用于高效的电流转换与控制，提高电源的能效和稳定性。
马达驱动:
- 在无刷直流电动机和步进电机控制中，MOSFET能够快速开关，从而实现精确的速度控制和高效的驱动能力。
DC-DC 转换器:
- 在提高转换效率和减少功耗方面，STP60NF10 是一种理想选择，适用于降压（Buck）和升压（Boost）转换器。
音频放大器:
- 在高功率音频应用中，MOSFET 可以提供高效的开关特性，有助于提升音质和输出功率。
LED 驱动:
- 适合用于高功率 LED 驱动电路，提供稳定的电流和亮度控制。
结论
STP60NF10 是一款性能卓越的N沟道MOSFET，尤其适合高电压和高电流的功率应用领域。凭借其低导通电阻、高功率耗散能力和良好的开关性能，该器件能够有效降低能量损耗，提升电路的整体效率。无论是在电源管理、马达控制还是其他高功率应用中，STP60NF10 都是一款值得信赖的解决方案。如果您的项目涉及到高效能和高稳定性的电源或者驱动控制，STP60NF10 都是一个值得推荐的选择。