STP5NK100Z
STP5NK100Z参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 1000V（1kV） | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 1000V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.7 欧姆 @ 1.75A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1154pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP5NK100Z手册
STP5NK100Z概述
STP5NK100Z 产品概述
产品简介
STP5NK100Z是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计主要应用于高压和高功率的开关电源、逆变器、电机控制及其他快速开关应用。该器件拥有极高的漏源极电压（Vdss）达到1000V（1kV），并且在25°C环境下可以持续承受3.5A的漏极电流，这使得它能够满足许多苛刻的工业应用需求。
基础参数
STP5NK100Z采用TO-220-3封装，具备良好的散热性能，能够承受最大125W的功率耗散，适合于高功率电路中使用。此外，该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），使其能够在极端条件下稳定工作。
电气特性
在电气参数中，该器件的漏源极电压（Vdss）为1000V，适合高压应用。其最大栅源电压（Vgss）为±30V，确保MOSFET在正常工作条件下不会因为过电压而受到损坏。具备良好的导通性能，其导通电阻（Rds(on)）在不同漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）下都表现稳定，最大值为3.7Ω（在1.75A和10V下测得）。
在特性参数中，阈值电压（Vgs(th)）的最大值为4.5V（在100µA的测试电流下），这表明器件可以在较低的栅电压下导通，便于驱动电路的设计。栅极电荷（Qg）为59nC（在10V条件下），代表使用该MOSFET进行开关时的开关速度。
高频特性
STP5NK100Z的输入电容（Ciss）在25V下测量为1154pF，可以提供较好的高频响应，但在高频开关应用中，设计人员需考虑开关损耗与驱动能力，从而确保整体效率。
应用领域
得益于其高耐压和高功率处理能力，STP5NK100Z广泛应用于以下领域：
- 开关电源：适用于AC-DC变换器及DC-DC转换器，处理高电压和电流的转换。
- 电机驱动：在电机控制及驱动电路中发挥重要作用，提供高效率的开关控制。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，作为开关元件，提高转换效率。
- 工业自动化设备：在各种工业设备中，用于控制和驱动高功率组件。
总结
STP5NK100Z是一款出色的N沟道MOSFET，其高漏源电压、良好的导通电阻、宽广的工作温度范围以及较高的功率耗散能力，使其在高压和高功率应用中成为理想选择。其广泛的应用场合需求，结合优良的电气特性，使得该器件在现代电子电气系统中承担着重要角色。对于设计师而言，该器件的使用能够有效提升产品性能并满足高效能的市场需求。