STP20NM60
STP20NM60参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 290mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 192W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 290 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 192W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP20NM60手册
STP20NM60概述
STP20NM60 产品概述
产品简介
STP20NM60 是一款具有高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其主要特点为漏源电压（Vdss）高达 600V，连续漏极电流（Id）可达 20A，充足的额定功率耗散（192W），使其在高电压和高电流应用中表现出色。该产品广泛应用于开关电源、高压电源、直流马达控制及其他需要高电压和大电流的电子电路中。
主要参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压为 600V，适合高压场合，确保在电源开关和功率转换电路中，能够安全稳定地工作。
连续漏极电流（Id）: 其在 25°C 环境下的最大连续漏极电流为 20A，可以适应较大负载需求，特别是在开关频率较高的情况下表现优异。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该 MOSFET 在 250µA 的漏极电流下，栅源极阈值电压为 5V，确保在合理的驱动电压下能够迅速导通。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10A 和 10V 的条件下，漏源导通电阻为 290mΩ，较小的导通电阻可以有效降低导通损耗，提高整体效率，是现代电源设备的理想选择。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的驱动电压下，最大栅极电荷为 54nC，较小的栅极电荷意味着在开关操作时更高的效率与更快的开关速度，有助于降低高频工作时的功耗。
工作温度: STP20NM60 的最大工作温度为 150°C（夹层温度，TJ），确保在高温环境下依然能够安全稳定工作，适用于严苛的应用场景。
封装类型: 该 MOSFET 采用 TO-220AB 封装，便于散热和安装，适合多种应用需求。
应用领域
STP20NM60 的诸多特性使其被广泛应用于多个电子行业，主要包括：
开关电源: 由于其高压需求与高效率性能，使得该 MOSFET非常适合用于开关电源中的功率转换元件。
马达控制: 该设备可用于直流电机驱动电路，提供必要的电流和电压支持，并在开关过程中保持低损耗。
高压电源: STP20NM60 的高电压特性使其能够在高压电源中作为开关元件，保证信号的稳定与安全。
电能转换设备: 适用于电能转换器和其他高功率电子设备，提升能效并减少不必要的能量损耗。
结论
作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET，STP20NM60 以其出色的电压电流性能，适中的导通电阻，以及广泛的应用范围，成为了电子行业中重要的功率元件。无论是在开关电源还是在高压马达控制中，该产品都能提供可靠的性能，并满足现代电子设备对于高效、稳定和高功率的需求。对于设计工程师而言，STP20NM60 是高压应用的理想选择，能够帮助其在设计过程中实现高效能和高可靠性。