STP14NK50ZFP
STP14NK50ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 14A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 380mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 92nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP14NK50ZFP手册
STP14NK50ZFP概述
STP14NK50ZFP 产品概述
产品简介： STP14NK50ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 沟道 MOSFET，广泛应用于高压、高功率的电子电路设计。该元器件具有 500V 的漏源电压（Vdss）、14A 的连续漏极电流（Id）、以及优异的导通电阻特性（Rds(on)）。
主要参数：
- 漏源电压（Vdss）： 500V
- 连续漏极电流（Id）： 14A（在 25°C 时，Tc）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 4.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 380mΩ @ 6A, 10V
- 最大功率耗散： 35W（在环境温度 Ta=25°C 时，Tc）
- 驱动电压（Vgs）： 10V（最大 Rds On，最小 Rds On）
- 栅极电荷（Qg）： 92nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）： 2000pF @ 25V
- 最大工作温度： -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型： TO-220-3，通孔安装
性能特点： STP14NK50ZFP 的高漏源电压（500V）使其能够在需要承受高电压的应用中表现出色，例如开关电源、逆变器和电动机驱动等。该器件的连续漏极电流达到 14A，适用于较大功率需求的场合。此外，它的漏源导通电阻较低（380mΩ），能够有效减少功耗和发热，提高系统的能效与稳定性。
工作特性： 此 MOSFET 的栅源极阈值电压为 4.5V，这意味着其在较低的栅驱动电压下便能够开启，从而提高了驱动电路的灵活性。此外，对栅极电荷（Qg）的优化设计使得其开关速度较快，从而有效支持高频应用。
热管理： STP14NK50ZFP 在设计时考虑了良好的热管理表现，其最大功率耗散能力为 35W，在适当的散热措施下，可以支持高负载运行而不会导致过热问题。而它的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业、汽车和电源管理等众多领域。
封装优势： 该元器件采用 TO-220FP 封装，支持通孔安装，具有良好的散热特性，并且安装简便，适合大规模生产的应用设计。TO-220 封装的设计使得该器件更容易与散热器连接，进一步增强了散热能力。
应用场景： STP14NK50ZFP 适用于广泛的电子电气应用场合，包括：
- DC-DC 转换器
- 逆变器（如太阳能逆变器和电动车辆驱动系统）
- 马达驱动电路
- 高压开关电源
- 通信设备中的功率放大器
总结： STP14NK50ZFP 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET，其出色的电气特性、可靠的热管理、以及宽广的工作温度范围，使其成为高压高功率应用的理想选择。作为意法半导体的推荐器件，其在提升系统效率和稳定性方面具有重要价值，是电子工程师和设计师在选择元器件时的优先选择。无论是在工业应用，还是在消费电子及汽车电子领域，STP14NK50ZFP 都展现出其卓越的性能优势和应用潜力。