STP11NK40ZFP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.5g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 400V 9A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.39按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.39
--
100+
￥4.31
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP11NK40ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 930pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP11NK40ZFP手册
STP11NK40ZFP概述
STP11NK40ZFP 产品概述
一、产品简介
STP11NK40ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件设计用于高压和高电流应用，具有出色的导通特性和良好的热管理能力，适合在多种电源管理、电机驱动和开关应用中使用。产品的封装类型为TO-220, 提供了出色的散热性能和易于集成的特性。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: 400V
- 该产品在额定电压下可稳定工作，适用于高电压环境。
连续漏极电流（Id）: 9A @ 25°C
- 适合中等功率的应用，能够提供9A的连续电流，具备好的电流承载能力。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 100µA
- 低的阈值电压能够使MOSFET在较低的控制电压下迅速导通，提升开关效率。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 550mΩ @ 4.5A, 10V
- 低导通电阻产品提供了有效的能量转换，有助于减少散热和提高效率。
最大功率耗散: 30W
- 在适当的散热条件下，该产品能有效地传导热量，确保系统安全。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使得该MOSFET适用于恶劣环境及极端温度的应用场合。
封装类型: TO-220
- TO-220封装设计有利于增强设备的散热效果，使其在高负载下稳定运行。
三、应用领域
STP11NK40ZFP MOSFET 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源供应：可用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和高效电源转换器。
- 电机驱动：适合用于直流电机和步进电机的驱动电路，提供高效的开关控制。
- 电动工具：在电动工具中可作为开关元件，确保高效的电力传输。
- 汽车应用：由于其优异的耐温性，适合用于汽车电子控制模块（ECM）和相关驱动电路。
- 电力管理系统：可广泛应用于工业设备、电网控制和其他需要可靠功率调节的场合。
四、技术特点
高性能开关特性：由于其低的Rds(on)和较快的开关速度，STP11NK40ZFP 能够有效地减少开关过程中的功耗。
高温工作能力：产品设计考虑到高温工作条件，使其在极端环境下依然能够稳定工作，提高了整体可靠性。
优化驱动设计：最大栅电压为±30V，适配多种控制逻辑，实现高效的开关控制。
五、总结
总体而言，STP11NK40ZFP是一款性能卓越、稳定可靠的N沟道MOSFET，汇聚了高电流、电压承受能力和优异的散热特性。凭借其多种优越特性，广泛适用于电源管理、工业设备和汽车电子等领域。意法半导体凭借其强大的可靠性和创新技术，继续为客户提供高质量的电子元器件，助力产品研发和工程应用。