STP110N8F6
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.74g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200W 80V 110A 1个N沟道 TO-220
库存 :
853(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.67按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.67
--
100+
￥2.94
--
1000+
￥2.72
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP110N8F6参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 110A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6.5mΩ @ 55A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9130pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP110N8F6手册
STP110N8F6概述
STP110N8F6 产品概述
STP110N8F6 是一款来自意法半导体(STMicroelectronics)的高性能N沟道MOSFET，广泛应用于电源转换、功率管理和开关控制等领域。其设计和制造均符合现代电子产品对高效能和高可靠性的需求，被广泛应用于工业、汽车、消费电子和电力电子等各种应用场景。
主要规格与特性
STP110N8F6的关键电气特性如下：
- 泄漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的最大漏源电压为80V，使其能够在高压环境下稳定工作。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，STP110N8F6能够承受高达110A的连续漏极电流，满足大功率负载的需求。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源阈值电压为4.5V @ 250µA，说明只需较低的驱动电压就能有效开关该MOSFET。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在10V的驱动电压下，连续电流达到55A时，导通电阻为6.5mΩ，极低的导通电阻大幅降低了在开关状态下的功耗，提升了整体能效。
- 最大功率耗散 (Ptot): 在通道温度为25°C的条件下，STP110N8F6的最大功率耗散为200W，这使其能够在高功率应用中保持良好的散热性能。
工作环境与封装形式
STP110N8F6的工作温度范围极为广泛，从-55°C到175°C（TJ），使其能够在严苛的环境条件下可靠运行。这种宽温度范围是许多工业和汽车应用中非常重要的要求。
在封装形式上，STP110N8F6以TO-220封装方式提供，适合快速散热和便于安装的需求。TO-220封装是通孔组件，提供便捷的焊接和良好的热管理，适合在需要散热的大功率应用中使用。
应用领域
STP110N8F6因其优异的性能和适应性，适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源变换器
- DC-DC转换器
- 高效电感开关
- 电机驱动电路
- 开关电源(如不间断电源UPS)
- 机器人和自动化设备
在这些应用中，STP110N8F6可以作为开关元件或者信号放大器，提供快速响应和可靠的电流控制。
设计考量
在设计电路时，使用STP110N8F6的工程师应考虑其输入电容（Ciss）为9130pF @ 40V，输入电容值对于高频应用具有一定的影响，同时也会影响驱动电路的选择。其栅极电荷（Qg）值为150nC @ 10V，意味着在开关过程中会产生一定的驱动功耗，因此应对驱动电路的选择进行合理规划，以确保高效激活该MOSFET。
结论
总之，STP110N8F6是一款性能卓越的N沟道MOSFET，适用于广泛的高功率应用。凭借其高泄漏源电压、低导通电阻和较大的连续漏极电流能力，STP110N8F6是实现高效电源管理的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，该MOSFET都能够为设计师提供强大的支持和可靠的性能保障。