STP10NK70ZFP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 35W 700V 8.6A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
375(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
5.81按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.81
--
100+
￥4.64
--
1000+
￥4.31
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP10NK70ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 700V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.6A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 850mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP10NK70ZFP手册
STP10NK70ZFP概述
STP10NK70ZFP 产品概述
1. 产品概述
STP10NK70ZFP 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，具有700V的漏源电压（Vdss）和8.6A的连续漏极电流（Id）。该器件适用于各种要求高效率和高耐压的电源转换和开关应用，支持高电压和高电流的使用环境，尤其在需要高功率处理的场合。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: STP10NK70ZFP的漏源电压可达到700V，能够满足许多中高压电源应用的需求。
- 连续漏极电流（Id）: 该器件在25°C环境温度下，能够承受最高8.6A的漏极电流，提供充足的电流供应以适应负载需求。
- 栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压为4.5V @ 100μA，表明在此电压下器件开始导通，提高适应性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10V栅极驱动电压下，于4.5A时的导通电阻仅为850mΩ，确保功率损耗最小化和热量的有效管理。
- 最大功率耗散: 在环境温度25°C时，器件的最大功率耗散为35W，能够在高效能下运行，减少因过热而导致的损坏风险。
- 工作温度范围: 工作温度范围从-55°C到150°C，适用于极端环境条件的应用。
3. 应用领域
STP10NK70ZFP MOSFET广泛应用于多种电子系统中：
- 开关电源: 高压电源转换器和电源管理模块，能够保持高效率和良好的热特性。
- 电机驱动: 适合集成在电动马达驱动器中，提供可靠的开关控制。
- 灯光控制: 在LED驱动回路中表现出色，控制功率损耗和电流流动。
- 逆变器: 太阳能逆变器及其他可再生能源转换系统中，因其高功率和高效率而受到青睐。
- 家电应用: 适合用于家用电器的功率控制，比如冰箱、洗衣机等，实现高效能的控制。
4. 设计建议
在使用STP10NK70ZFP时，用户需要考虑以下设计要点：
- 驱动电压: 保证栅极驱动电压在推荐范围内（通常为10V），以确保MOSFET的低导通电阻。
- 散热设计: 在高功率应用中，需优化散热设计以降低运行温度，防止过热导致的性能下降。
- 布局设计: 尽量缩短MOSFET与电路其他部分（如驱动电路、负载）之间的走线，降低寄生电感和电阻，提高开关速度。
- 保护措施: 适当选择和设计保护电路，如过压保护、过流保护，以防止器件在不正常工作状态下受损。
5. 结论
STP10NK70ZFP是一款具有高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景，被广泛应用于中高压开关电源、逆变器和电机驱动等多个领域。通过合理的电路设计及合适的使用条件，该器件能够有效提高系统的整体效率和可靠性，为用户提供卓越的使用体验。