STL7N60M2
STL7N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.05Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 4W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 271pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 4W（Ta）, 67W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFLAT™（5x5） | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
STL7N60M2手册
STL7N60M2概述
STL7N60M2 产品概述
简介
STL7N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，具备优良的电气特性，广泛应用于高压开关电源、电机驱动和其它需要高效率的电力电子设备。其具有600V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），以及优良的导通电阻和功耗特性，使其成为高效能电子设备设计的理想选择。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 5A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.05Ω @ 2A, 10V
- 最大功率耗散: 4W（在环境温度25°C），67W（在结温Tc时）
- 工作温度: 最高可达150°C（TJ）
- 封装类型: PowerFLAT™（5x5）
- 栅极电荷（Qg）: 8.8nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 271pF @ 100V
- 最大栅源电压（Vgs）: ±25V
特性与优势
高电压承受能力: STL7N60M2支持高达600V的漏源电压，适用于要求高电压的应用场合，能够有效应对突发电气冲击及长时间在高压条件下的稳定运行。
较低的导通电阻: 在2A、10V的条件下，导通电阻Rds(on)为1.05Ω，较低的导通电阻意味着能量损耗减少，从而提升了系统的整体效率，适合于需要高效能的开关电源设计。
功率处理能力: 最大功率耗散为4W（环境温度下）和67W（在结温下），这使得STL7N60M2能够在负载能力极限之内正常工作并提供持续稳定的性能。
小封装设计: 采用PowerFLAT™（5x5mm）封装，适合于空间受限的电路板设计。该封装有效减小了热阻和电路中的占用空间，提高了设计的灵活性。
耐高温特性: 工作温度可达150°C，适合于高温环境下的应用，尤其是在工业控制和汽车电子等领域表现优越。
快速切换能力: 较低的栅极电荷（Qg=8.8nC）和输入电容（Ciss=271pF），使得该MOSFET具备良好的开关特性，能够保证高频率下的快速开关，适合用于高频开关电源和开关调节器。
应用领域
STL7N60M2广泛应用于各类电子设备，包括：
- 高压开关电源
- 开关调节器
- 电机驱动控制
- 电源模块
- 各类汽车电子设备
结论
STL7N60M2是一款技术先进的N沟道MOSFET，其高电压能力、低导通电阻和小型封装使其成为现代电子设计中的一款重要元器件。在需要高效率和高可靠性的应用中，STL7N60M2展现出了卓越的性能，是开发高性能电力电子系统的理想选择。