STF6N95K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.34g
描述 :
场效应管(MOSFET) 25W 950V 9A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
7664(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.24按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.24
--
100+
￥2.59
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF6N95K5参数
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A(Tc) | 漏源电压（Vdss） | 950V |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.25Ω @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450pF @ 100V |
| 安装类型 | 通孔 | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） | Vgs（最大值） | ±30V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | N 通道 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 3A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF6N95K5手册
STF6N95K5概述
产品概述：STF6N95K5 MOSFET
简介
STF6N95K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高压开关、直流-直流转换器、逆变器以及其他需要高效能和高功率处理的场合。STF6N95K5 以其显著的电气参数和可靠性，广泛服务于工业、电源管理和消费电子领域。
主要特性
输出参数
- 漏极电流 (Id)：在 25 ℃ 条件下，连续漏极电流为 9A，适合处理高电流的应用。
- 漏源电压 (Vdss)：具备 950V 的超高漏源击穿电压，适合高压电源设计。
- 导通电阻 (Rds On)：在 3A 电流及 10V 栅源电压下，最大导通电阻为 1.25Ω，确保电流通过时损耗最小。
操作条件
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：在 25 ℃ 时为 5V @ 100µA，确保在较低控制电压下能够高效开关。
- 驱动电压：建议的驱动电压为 10V，这样可以达到其最大 Rds On 和最小 Rds On 状态，保证最佳的导通性能。
- 功率耗散：最大功率耗散为 25W（在 Tc 条件下），能够在较高负载条件下稳定运行。
- 工作温度范围：工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ)，适用于严苛环境下的应用。
电气特性
- 栅极电荷 (Qg)：在 10V 栅电压下，栅极电荷为 13nC，低栅电荷特性，有利于降低驱动功耗，提高开关速度。
- 输入电容 (Ciss)：在 100V 时的输入电容为 450pF，意味着在高频应用中具有较低的交变损耗。
封装与安装
STF6N95K5 采用 TO-220-3 封装类型，具有良好的热导性和散热性，便于安装和散热管理。通孔安装设计使其易于在各种电路板上焊接，被广泛应用于电源模块和电流转换器等设备中。
应用领域
STF6N95K5 MOSFET 主要适用于多种应用场景：
- 开关电源：在高效能的开关电源设计中，STF6N95K5 能够有效降低能量损耗，提高整体效率。
- 逆变器：在光伏和风能逆变器中应用，为可再生能源系统提供可靠的电能转换。
- 电机驱动：广泛用于电机控制和驱动电路中，提供高效的电流开关与调节功能。
- DC-DC 转换器：用于各种类型的 DC-DC 转换器，实现电源的电压转换和电流调节。
结论
作为一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，STF6N95K5 提供了杰出的电气特性与宽广的工作条件，适用于要求严苛的工业和商业应用。凭借其高信赖度和出色的热管理能力，STF6N95K5 是各类电源系统和控制电路的理想选择。通过具备适用于高电压和高电流应用的优势，该产品将为用户的工程设计提供强有力的支持。随着高效能和高可靠性的不断追求，STF6N95K5 将在未来电子设备中展现出更大的应用潜力。