STF14NM50N
STF14NM50N参数
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 320mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 320 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 816pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF14NM50N手册
STF14NM50N概述
STF14NM50N 产品概述
产品简介
STF14NM50N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，适用于需要高电压和高电流承载能力的各种电子应用。该器件在设计时兼顾了高效散热、低导通电阻和宽工作温度范围特性，使其在功率管理和开关应用中表现出色。
主要技术规格
漏源电压（Vdss）：500V
STF14NM50N能够承受高达500V的漏源电压，非常适合用于高压应用场合，如电源转换、电机驱动和工业控制等领域。连续漏极电流（Id）：12A @ 25°C
在标准温度下，该器件能够持续承载12A电流，适用于各种电流需求较高的负载。导通电阻（Rds(on)）：320mΩ @ 6A, 10V
其导通电阻低，从而有效降低开关损耗，提高整体系统效率。理想情况下，在10V驱动电压条件下，其导通电阻为320毫欧，在负载电流为6A时表现最佳。栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 100µA
该值决定了MOSFET开启的最小栅电压，确保其在适当的条件下快速导通。输入电容（Ciss）：816pF @ 50V
较低的输入电容以及快速开关特性，使得STF14NM50N可用于高频电路，帮助改善系统的响应速度。栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计，降低驱动器的功率损耗。
热特性
最大功率耗散：25W @ Ta=25°C
该器件在环境温度25°C下的最大功耗为25W，使其适应广泛的电流与电压条件。工作温度范围：-55°C ~ 150°C
宽广的工作温度范围确保了STF14NM50N能够在极端环境条件下正常工作，适合各类工业应用。
封装和安装
- 封装类型：TO-220FP
STF14NM50N采用TO-220-3封装，便于在PCB板上安装，为散热提供了良好的条件。此外，通孔安装设计使其能够更有效地与散热器结合，增强散热性能。
应用领域
STF14NM50N广泛应用于以下领域：
- 开关电源：凭借其高耐压和低导通电阻，适合于开关电源和DC-DC转换器。
- 工业控制：可以用于电机控制系统，尤其是高压电机驱动。
- 电动汽车：在电动汽车及混合动力汽车的电源管理系统中表现出色。
- LED驱动电路：适合用于高效LED照明解决方案。
- 消费电子：在高效和高压的消费电子产品中，提升整机的可靠性和性能。
总结
STF14NM50N是一款综合性能优秀的N沟道MOSFET，它的高漏源电压、优异的导通电阻以及宽广的工作温度范围，使其在多种应用场合中都能发挥重要作用。无论是在大功率电源转换、工业自动化还是电动汽车技术中，STF14NM50N都是一款可靠且高效的元器件选择，为各种电子设计提供了强有力的支持。