STD5N20LT4
STD5N20LT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 700mΩ @ 2.5A,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 33W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 2.5A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 242pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 33W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD5N20LT4手册
STD5N20LT4概述
STD5N20LT4 产品概述
产品概述
STD5N20LT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），这款 MOSFET 主要用于开关电源、工业驱动、电机控制和其他高功率电子应用。其设计能够支持 200V 的漏源电压、最大连续漏极电流为 5A，适合于多种电子设备中的高效能和节能要求。
关键技术参数
漏源电压（Vdss）: 最高 200V。这意味着该器件可以安全地在高电压下工作，适用于对电压有较高要求的应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时可达到 5A（在结温 Tc 下）。该性能使得此 MOSFET 在负载条件下具有较强的稳定性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 固定在 2.5V @ 50µA，这保证了器件能够在较低的栅极电压下导通，减少驱动电路的功耗。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 2.5A 和 5V 条件下，最大值为 700mΩ。低导通电阻意味着在开启状态下会有较低的导通损耗，从而提高整体效率。
最大功率耗散: 在 Ta=25°C 时可达到 33W，适合处理较大功率的应用。
工作温度范围: 此 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 +150°C，适应各种严苛环境条件的电子设计。
驱动电压: 支持 5V 驱动的能力既能确保有效的开关操作，也能减少驱动电路所需的功率。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 242pF @ 25V，有助于减小开关时的延迟，提高动态响应。
栅极电荷 (Qg): 最大值为 6nC @ 5V，对于高频开关应用来说，较低的栅极电荷能够实现更快速的动态响应。
封装与安装
STD5N20LT4 采用 DPAK 封装（TO-252-3），该封装形式广泛应用于表面贴装技术中，便于在高密度的电路板上进行有效的散热和集成。DPAK 封装的设计还减少了焊接和组装过程中可能出现的空间浪费，进一步提高了产品的易用性。
应用领域
STD5N20LT4 的应用领域非常广泛，包括但不限于：
- 开关电源: 用于高效能的 AC-DC 或 DC-DC 转换器。
- 电机驱动: 控制直流和步进电机的驱动电路，为工业设备提供高效的电源管理。
- 照明控制: 尤其是在 LED 照明系统中，用于开关控制和调光功能。
- 电池管理系统: 用于电动车或储能系统的电池管理，可实现更高的能量利用率。
总结
STD5N20LT4 是一款具备高电压、高电流性能和低导通电阻的 N 通道 MOSFET，适用于要求严格的高功率应用。无论是在电源管理、电机控制还是其他电子设备中，它都能提供稳健的性能和高效的能量转换，成为涉及多个行业（如消费电子、工业控制、汽车电子等）的理想选择。随着技术的不断进步和市场需求的变化，STD5N20LT4 将继续在电子设计中发挥其核心作用。