STD35NF06T4
STD35NF06T4参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 17.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 80W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 17.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD35NF06T4手册
STD35NF06T4概述
产品概述：STD35NF06T4 MOSFET
1. 概述
STD35NF06T4 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有 80W 的最大功率耗散能力，漏源电压 (Vdss) 达到 60V，且在 25°C 的环境温度下能够提供高达 35A 的连续漏极电流 (Id)。此器件广泛应用于开关电源、电机驱动、功率放大器等多个领域，凭借其卓越的导通性能和高效的散热设计，成为现代电子设备中理想的开关元件。
2. 关键特性
漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 60V，适用于一般工业应用和汽车电子中的电源开关及整流。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，STD35NF06T4 可以持续提供 35A 的漏极电流，这是决定其在高功率应用中可行性的关键指标。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅源电压下，17.5A 的漏极电流下，漏源导通电阻的最大值为 20mΩ，极低的导通电阻保证了在工作状态下的能量损耗最小化，提高了电源转换效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源极的阈值电压为 4V @ 250µA，这使得该MOSFET可以使用较低的驱动电压进行高效开关，适合与低电压逻辑电平的控制电路配合使用。
驱动电压 (Vgs): 该器件的最大栅源电压为 ±20V，使得设计人员在选择驱动电路时有更大的灵活性。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 60nC @ 10V，意味着在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于提高开关频率，优化电源的整体性能。
工作温度范围: 该产品支持 -55°C 到 175°C 的温度范围，使其能够在极端环境下稳定工作，适合汽车、高温工业自动化等应用。
封装与安装类型: STD35NF06T4 采用 DPAK（TO-252-3）表面贴装型封装，具备良好的热管理能力和电气性能，方便用户在电路板上安装和散热。
3. 应用场景
STD35NF06T4 MOSFET 的设计目标是满足现代电子设备在功率开关中的高效性和稳定性。该器件广泛应用于以下场景：
开关电源: 在 DC-DC 转换器中提供高效的能量转换，提升整体系统效率。
电机驱动: 适用于电动机控制电路中，无论是直流电机还是步进电机，都能够提供快速开关能力与强大的电流处理能力。
功率放大器: 由于其低导通电阻特性，非常适合用于 RF 放大器设计中，带来更强的输出功率。
汽车电子: 可以应用于汽车中的各种电气系统，如电池管理系统和驱动控制模块，提供高强度的功率支撑。
4. 材料与制造
STD35NF06T4 是由意法半导体制造，作为一家全球领先的半导体提供商，其产品质量和技术支持得到广泛认可。在制造过程中，采用高性能的材料和先进的生产技术，确保元器件的可靠性和一致性。
5. 结论
通过结合高效的电气性能、宽广的温度适应性与可靠的封装设计，STD35NF06T4 MOSFET 是一个非常适合现代电子设备应用的重要器件。无论是高功率应用还是需要快速开关的场合，该器件都能提供出色的解决方案，是设计和工程师团队不可或缺的选择。