STD10NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.475g
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 600V 10A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
2671(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
4.43按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.43
--
100+
￥3.7
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1250+
￥3.36
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
STD10NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 540pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD10NM60N手册
STD10NM60N概述
STD10NM60N 产品概述
1. 产品介绍
STD10NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适合高压和大功率应用。该器件的最大漏源电压（Vdss）为600V，支持连续漏极电流（Id）达到10A，在25°C环境温度下工作能够保证出色的性能。随着技术的发展，该型号广泛应用于开关电源、逆变器、直流-直流转换器及其他高压功率电子设备中。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V，能够满足高压应用的需求，具备良好的耐压性能。
- 连续漏极电流（Id）: 10A，保证了在多种工作状态下的稳定电流供给。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该产品在250μA电流下，栅极阈值电压为4V，这一特性确保在低输入电压下即可开启器件，适用于多种控制信号。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅源电压条件下，漏源导通电阻为550 mΩ @ 4A，具有较低的导通损耗，适合高效开关应用。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V下，器件的栅极电荷为19nC，表明其驱动需求低，简化了驱动电路设计。
3. 功能及应用
STD10NM60N以其优秀的电流承载能力与高耐压特性，可以应对各种复杂和严峻的工作条件。它的主要应用包括：
- 开关电源: 以其高效能和可靠性复用在各种电源转换应用中。
- 逆变器: 在光伏、风能等可再生能源领域，作为逆变电路的关键组件。
- 电机驱动: 可作为电机驱动电路中的开关器件，支持高频操作和精准控制。
- 直流-直流转换器: 在电力电子中，应用于降压和升压转换电路。
4. 散热与功率耗散
STD10NM60N的最大功率耗散能力为70W（在环境温度25°C时），这使得它能够在较大的功率应用中，保持良好的工作温度。合理的散热设计，如使用合适的散热器或采用风冷、液冷手段，将有效降低在高负载状态下的温升，确保器件的可靠性与使用寿命。
5. 工作温度与封装
STD10NM60N在一个广泛的温度范围内表现稳定，其工作温度在-55°C至150°C之间，适合于各种恶劣环境。器件采用DPAK封装（TO-252-3），该表面贴装型封装形式使得它在PCB上占用较小的空间，同时有效提高散热性能，非常适合高密度电路设计。
6. 结论
综上所述，STD10NM60N MOSFET是高性能、高可靠性的N沟道器件，具备了优越的电气特性和散热性能，适用于广泛的应用场景。凭借意法半导体的品牌实力和卓越的工艺技术，STD10NM60N无疑是工程师们解决高压、高功率应用的理想选择。在设计时，充分考虑其特性及应用场景，能够进一步提高系统的整体效率和稳定性。