封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | 晶体管类型 | NPN |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V | 集电极电流Ic(最大值) | 1.5A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 5@1A,2V | 功率(最大值) | 1.5W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔(THT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 500mA,1.5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 5 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 1.5W |
供应商器件封装 | TO-92AP |
STBV32-AP是一款高性能的NPN型双极晶体管(BJT),其特性与应用使其成为电子电路设计中的重要元件。这款晶体管由意法半导体(STMicroelectronics)生产,以其出色的电气特性和可靠性而广泛应用于各种电子设备中。以下是对STBV32-AP的详细分析,涵盖其关键参数、应用领域和使用建议。
封装与类型: STBV32-AP采用TO-92AP封装,设计为通孔安装(THT),便于在各种电子电路板中实现简单的插拔连接。这种封装形式适合手工焊接和自动化组装,具有较好的机械强度和散热性。
电气特性:
温度特性: STBV32-AP的工作温度范围高达150°C,适用于高温环境中的应用。其耐温性能保证了在恶劣环境条件下的稳定性和长期可靠性,是电子设备在高温状态下运行的理想选择。
饱和压降特性: 在500mA和1.5A时,该晶体管的饱和压降(VCE_saturation)最大为1.5V,显示出较低的导通电阻,降低了功率损耗。这一特点使其在开关电源和数字电路中尤为重要。
截止电流: 集电极截止电流(Ic_cutoff)最大为1mA,说明在关闭状态下具有较小的漏电流,这进一步提高了其在信号和功率应用中的效能。
STBV32-AP的多种电气特性使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
在实际应用STBV32-AP时,建议遵循以下几点以确保最佳性能:
总的来说,STBV32-AP是一款功能强大、应对高功率和高电压需求的NPN型晶体管,凭借其高效的性能和可靠性,在多种电子应用中均能提供优异的表现,是设计师和工程师的理想选择。