STB11NK50ZT4

产品概述：STB11NK50ZT4 N沟道MOSFET

概述

STB11NK50ZT4是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），专为高压应用设计，具有卓越的电流承载能力和低导通电阻。该器件的结构和特性使其在电源管理、开关电源和电动机驱动等领域表现出色。封装选择为D2PAK（TO-263-3），使其非常适合体积受限的表面贴装应用。

主要参数

• 封装类型：D2PAK（TO-263-3）
• FET类型：N沟道
• 漏源极电压（Vdss）：500V
• 栅源电压（Vgss）：±30V
• 连续漏极电流（Id）：10A（Tc=25°C）
• 最大Rds(on)：520毫欧 @ 10V、4.5A
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值：4.5V @ 100µA
• 栅极电荷（Qg）最大值：68nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）最大值：1390pF @ 25V
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc=25°C）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C

应用领域

STB11NK50ZT4适合于多种高压和大电流应用场景，包括但不限于：

1. 开关电源：在开关电源中，STB11NK50ZT4能够在高频率下工作，高效地开关电源，提高系统整体效率。
2. 电动机驱动：该MOSFET的高电流承载能力和高压特性，使其非常适合用作各类电动机驱动电路中的开关元件。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和电力电子设备中，STB11NK50ZT4能够有效控制逆变过程，确保能量转换的高效性。
4. 功率放大器：它在构建各种功率放大器时可以有效降低功损，提高信号的清晰度与稳定性。
5. 直流-直流转换器：此器件可用于电压转换应用中，能够驱动负载并确保系统在高负载条件下仍然稳定运行。

性能特点

STB11NK50ZT4的性能由其优质材料和设计所决定，具有以下几个显著优势：

1. 高可靠性：采用优质半导体材料，确保在高温和高电压环境下的稳定性和可靠性。
2. 低导通电阻：520毫欧的低导通电阻可显著减少传输损耗，提高能效，特别是在充电和放电应用中尤其重要。
3. 出色的散热能力：最大功率耗散达到125W，适合高性能应用，并且大大改善了器件在重负载条件下的热管理。
4. 快速开关性能：低栅极电荷意味着更短的开关时间，从而优化系统的开关频率，提高整体效率。

总结

STB11NK50ZT4是一款强大且可靠的N沟道MOSFET，专为要求高电压和高电流的应用场合设计。其优良的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在各种高效电源管理系统中成为理想选择。凭借其在几乎所有现代电子设计中都能满足的性能，需要考虑的核心参数使得即使在极端环境下也能保持可靠运行。选择STB11NK50ZT4，您将获得高效、稳定和可靠的解决方案，以满足现代电子设备对高效能和持久性的需求。