封装/外壳 | DO-218AB | 最大反向工作电压 | 33V |
击穿电压(最小值) | 36.7V | 钳位电压VC | 53.3V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 33V | 电压 - 击穿(最小值) | 36.7V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 53.3V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 124A |
功率 - 峰值脉冲 | 6600W(6.6kW) | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 汽车级 | 供应商器件封装 | DO-218AB |
SM8S33AHE3/2D 是一种表面贴装型齐纳二极管,专门设计用于保护电气设备免受过电压瞬态的危害。该元器件的封装类型为 DO-218AB,适合于各种电路应用,包括汽车电子、工业设备和消费类电子产品。作为 VISHAY(威世)品牌的产品,SM8S33AHE3/2D 旨在以其高效的性能满足现代设计的需求。
电气特性:
工作温度:
安装类型:
封装形式:
应用领域:
在电动车辆的电池管理系统中,SM8S33AHE3/2D 可以用来保护电池模块及相关电子元件,防止因电压尖峰造成的损坏。此外,在工业自动化设备中,该二极管则被广泛应用于电源输入端,降低来自电网的瞬态电压对设备的潜在威胁。
SM8S33AHE3/2D 是一款高性能、可靠的过压保护元器件,融合了优越的电气特性和耐高温能力,能够满足现代电子设备对稳定性和耐用性的需求。其多功能性和广泛的应用前景使其成为各类电气设备中不可或缺的重要保护元件。选择 SM8S33AHE3/2D,将为您的设计提供更高的安全性和可靠的性能表现。