SIZ340DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A,40A |
| 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9.5mΩ @ 15.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 16.7W,31W | 类型 | 双N沟道(半桥) |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） | FET 功能 | 标准 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A，40A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 15.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 16.7W，31W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN | 供应商器件封装 | 8-Power33（3x3） |
SIZ340DT-T1-GE3手册
SIZ340DT-T1-GE3概述
SIZ340DT-T1-GE3 产品概述
产品名称: SIZ340DT-T1-GE3
品牌: VISHAY（威世）
封装类型: 8-Power33（3x3 mm）
类型: 双N沟道功率MOSFET
1. 概述
SIZ340DT-T1-GE3是一款高效率、双N沟道的场效应管（MOSFET），主要用于高性能的电源管理应用。该器件结合了出色的耗散能力及低导通电阻，非常适合电源转换器、马达驱动、DC-DC转换器及其他高功率电子应用。这款MOSFET的设计旨在提供高效率和可靠性，能够在恶劣环境中运行，广泛应用于工业、通信、消费电子等多个领域。
2. 基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 30A / 40A（在25°C下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.4V @ 250µA
- 漏源导通电阻: 9.5mΩ @ 15.6A, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 16.7W（低功率工作）/ 31W（高功率工作）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（结温TJ）
- 栅极电荷（Qg）: 19nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 760pF @ 15V
3. 性能特点
SIZ340DT-T1-GE3的设计使其在高频、高效率的电力转换过程中表现出色，其低导通电阻（9.5mΩ）确保在高电流（最高达40A）条件下的最低功耗，极大降低了热损耗。这一特性使得该产品在提高设备效率和延长使用寿命方面，具有显著优势。
该器件的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为2.4V，使其与许多控制电路兼容，特别适合继电器和开关电源模块的驱动需求。同时，较低的栅极电荷（Qg=19nC）则减少了控制电路的驱动功耗，提升了整体系统的效率。
其独特的工作温度范围（-55°C到150°C）使设备能够在极端的环境条件下运行，确保工业级应用的可靠性。这一特性能支持各种恶劣条件下的应用，比如航空航天、汽车和有高要求的工业设备。
4. 封装与安装
SIZ340DT-T1-GE3采用8-Power33（3x3 mm）封装，适合表面贴装（SMD），节省 PCB 空间，便于自动化生产。此外，紧凑的封装设计提高了热散能力，确保器件在高负载下的稳定工作。该封装相较于传统的插脚封装在PCB设计中的灵活性及布局密度上具有明显优势。
5. 应用领域
SIZ340DT-T1-GE3广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 用于高效的DC-DC转换器和电池管理系统，提高能量转换效率，降低发热。
- 马达驱动: 应用于电动车辆、工业设备和风扇等马达驱动的控制。
- 消费电子: 在便携式设备、家用电器中实现高效电源管理。
- 通信设备: 在基站和其它通信设备中，为高频功率放大器提供理想的功率开关。
6. 结论
SIZ340DT-T1-GE3是经过精心设计，旨在满足现代电子和电力系统复杂需求的优秀产品。其优越的电气性能与可靠性，使其成为各种高性能应用中的理想选择。无论是用于电源管理，还是在更广泛的工业应用中，SIZ340DT-T1-GE3都能提供强大的支持与解决方案。