SIS406DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3参数
| FET配置（电路类型） | N沟道 | 漏源击穿电压V(BR)dss | 30V |
| 漏极电流（Id, 连续） | 9A（Ta） | 导通电阻 Rds（on） | 8.8毫欧 |
| 阈值电压Vgs(th) | 3V@250µA | 最大耗散功率 | 1.5W |
| 封装/外壳 | PowerPAK1212-8 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS406DN-T1-GE3手册
SIS406DN-T1-GE3概述
产品概述：SIS406DN-T1-GE3
1. 概述
SIS406DN-T1-GE3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品的 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效能的电子电路设计而优化，其高工作电流和低导通电阻设计，使其在多种应用中具有卓越的性价比和可靠性。
2. 主要参数
- FET配置：N沟道
- 漏源击穿电压 (V(BR)dss)：30V
- 连续漏极电流 (Id)：9A（在环境温度下）
- 导通电阻 (Rds(on))：8.8毫欧
- 阈值电压 (Vgs(th))：3V @ 250µA
- 最大耗散功率：1.5W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装：PowerPAK® 1212-8
3. 特性分析
SIS406DN-T1-GE3 的设计考虑了现代电子设备对功耗和效率的需求。它的漏源电压 (Vdss) 达到 30V，提供了足够的电压范围，可以满足大多数低至中等电压应用的需求。 该产品的连续漏极电流可达 9A，使其适合用于高功率输出的电路设计。
该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为 8.8毫欧，在高电流应用中能有效降低功率损耗，从而提高能效。对于需要高开关频率和低导通损耗的应用，SIS406DN-T1-GE3 表现出色，尤其是在电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。
阈值电压 (Vgs(th)) 为 3V，适合多种驱动电压环境，同时可在 4.5V 和 10V 下获得最佳导通状态，满足了不同设计需求的灵活性。
4. 应用领域
SIS406DN-T1-GE3 适合于多种应用领域，包括但不限于：
- 电源管理：适用于开关电源、DC-DC 转换器等，帮助提高整体系统的效率和稳定性。
- 电机控制：在电机驱动设计中，可利用其高电流承载能力来提高电机运行的平滑性和响应速度。
- 消费电子：可广泛应用于各类消费电子产品，如电视、智能手机等，提供高效的功率转换。
- 工业设备：在需要高效率和高可靠性的工业控制系统中，SIS406DN-T1-GE3 是一个理想选择。
5. 竞争优势
SIS406DN-T1-GE3 不仅在性能上表现优越，其小巧的 PowerPAK® 1212-8 封装还使其适合于现代紧凑型电路设计。长工作温度范围 -55°C ~ 150°C 的特点，使其在各种严苛环境下均能稳定工作，增强了产品的可靠性。
作为威世公司的产品，SIS406DN-T1-GE3 背后有强大的研发和技术支持，确保用户在使用过程中能够得到全方位的服务与支持。
6. 总结
SIS406DN-T1-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具备多项优越特性，如低导通电阻、高漏电流承载能力和广泛的工作温度范围，适合于多种现代电源管理及控制应用。其稳定性和高效性使得它在复杂的电子设计中具有独特的竞争优势，是电子工程师在选型时值得考虑的理想产品。