SIRA14DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | +20V，-16V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 58A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.1 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V | Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1450pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），31.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SIRA14DP-T1-GE3手册
SIRA14DP-T1-GE3概述
SIRA14DP-T1-GE3 产品概述
SIRA14DP-T1-GE3是由全球知名电子元件供应商VISHAY（威世）出品的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该MOSFET采用PowerPAK® SO-8封装，具有极其优异的电气性能和热管理特性，广泛应用于多种电子电路中，包括开关电源、DC-DC转换器、马达驱动和高侧开关等场合。
基本参数
封装: SIRA14DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8封装，具有优良的热导性和狭小的占用空间，适合要求高功率密度和紧凑布局的应用场景。
FET类型: 作为一款N沟道MOSFET，该产品在开关操作中具备较低的导通电阻，能够高效地开启和关闭，从而大幅度提高系统的工作效率。
漏源极电压 (Vdss): 最大漏源极电压为30V，使得该MOSFET可用于中低压的电源管理、电机控制和信号调理等应用。
电流承受能力: 在25°C的环境下，SIRA14DP-T1-GE3能够承受高达58A的连续漏极电流（Id），显示出其强大的电流处理能力，适合高功率负载的应用。
导通电阻 (Rds(on)): 该产品在不同的栅源电压（Vgs）下具有极低的导通电阻，最大值为5.1毫欧（@ 10A，10V），这使得MOSFET能够在低损耗状态下运行，从而提升了能效。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为29nC（@10V），这一特性确保了快速开关操作时的高效能，适合高频应用。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为1450pF（@15V），在高速开关时，能够降低驱动功耗，提高系统整体的响应速度。
功率耗散: 在环境温度下，最大功率耗散为3.6W，而在结温下（Tc），最高可达31.2W，显示了其良好的热管理能力。
工作温度范围: SIRA14DP-T1-GE3的工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，适合各种恶劣环境下的应用需求。
应用领域
SIRA14DP-T1-GE3广泛应用于以下几个主要领域：
电源管理: 用于DC-DC转换器和开关电源中，借助其低Rds(on)和高电流容量，提升电源转换效率和稳定性。
电机控制: 在电机驱动应用中，作为开关元件，可以有效控制电机的启停和调速。
高侧开关: 由于其较高的栅源电压能力，能够在高侧配置中稳定工作，提高电路的安全性与可靠性。
自动化设备: 在自动化控制系统中，SIRA14DP-T1-GE3可以实现快速开关，执行高效的控制任务。
总结
SIRA14DP-T1-GE3是一个集高性能和广泛适用性于一身的N沟道MOSFET，非常适合现代电子设计需求。其优异的电气特性、高功率承载能力以及牢靠的热管理，使其成为市场上极具竞争力的选择。无论是在电源管理、电机控制还是其他电子领域，都能够将其性能优势充分发挥，为用户提供可靠的解决方案。无疑，这款MOSFET是高效率、低损耗电路设计的不可或缺的关键元件。