SIR872DP-T1-GE3

SIR872DP-T1-GE3 产品概述

1. 产品简介

SIR872DP-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能表面贴装型 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 在电力电子和开关电源等应用中表现出色，具备高压和高电流处理能力。此外，SIR872DP-T1-GE3 能在极端的工作环境下运行，从-55°C 到 150°C 的宽温度范围使其适用于各种严苛环境。

2. 主要参数

• 封装类型: PowerPAK® SO-8，适合表面贴装，具有较小的体积和良好的散热性能。
• FET 类型: N 通道，适用于高效的开关和调节电流的应用。
• 漏源极电压 (Vds): 150V，能够处理较高的电压，适合高压电源设计。
• 连续漏极电流 (Id): 53.7A（在 Tc=25°C 时），提供优秀的电流处理能力，适合大功率应用。
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 18 毫欧，@ 20A，10V，较低的导通电阻有效减少了在导通状态下的功率损耗。
• 栅源电压 (Vgs): ±20V，确保设备的安全和可靠性。
• 输入电容 (Ciss): 2130pF @ 75V，能够有效降低开关损失，提升开关速度。
• 功率耗散: 最大值为 6.25W（环境温度 Ta），104W（在结温 Tc 下），确保在高负载情况下的安全运行。

3. 技术特性

SIR872DP-T1-GE3 的技术优势在于其先进的 MOSFET 结构，采用金属氧化物技术，使得驱动特性更加优越。栅极电荷降低至最大值为 64nC @ 10V，确保快速的开关操作，适合高频开关应用。重要参数 Vgs(th) 最大值为 3.5V @ 250µA，保证了在低栅电压下也能实现稳定的开关行为。

4. 应用场景

SIR872DP-T1-GE3 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于：

• 电源管理: 在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，用于高效的开关操作。
• 电机驱动: 用于电机控制和驱动电路，提供高电压及高电流的切换能力。
• 自动化设备: 在工业控制系统中，实现快速及高效的数据传输与控制。
• 汽车电子: 在汽车应用中，尤其是电动汽车及混合动力汽车的电力控制部分。

5. 性能优势

与传统器件相比，SIR872DP-T1-GE3 具备优良的散热性能及异质结特性，能有效减轻由高电流引起的发热问题。此外，较低的导通电阻和栅极电荷使得其在频繁开关情况下，能保持较佳的效率表现，适应现代电子设备对高效率与高可靠性的需求。

6. 结论

SIR872DP-T1-GE3 是一款技术成熟、性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其宽广的电压与电流规格、出色的导通性能以及高温稳定性，成为高压和高电流电子应用的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域，它都能以可靠的性能满足多样化的需求，助力设计工程师实现更高效能的电源管理解决方案。