SIHG30N60E-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 600V 29A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
5041(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
10.83按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥10.83
--
10+
￥9.02
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500+
￥8.59
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5000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIHG30N60E-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 29A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 125mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2600pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC | 封装/外壳 | TO-247-3 |
SIHG30N60E-GE3手册
SIHG30N60E-GE3概述
产品概述：SIHG30N60E-GE3 N沟道MOSFET
一、基本信息
SIHG30N60E-GE3是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由全球知名品牌VISHAY（威世）生产，广泛应用于电力电子、开关电源、马达驱动和逆变器等领域。这款MOSFET具有600V的漏源电压（Vdss）和高达29A的连续漏极电流（Id），使其在高压、大电流应用中展现出卓越的性能和可靠性。
二、技术参数
- 最大漏源电压（Vdss）： 600V
- 连续漏极电流（Id）： 29A（在25°C时）
- 导通电阻（Rds On）： 125mΩ（在15A，10V的条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 4V @ 250µA
- 最大功率耗散： 250W（在Tc条件下）
- 驱动电压: 最大 Rds On与最小 Rds On 为10V
- 最高工作温度： -55°C至150°C
- 封装类型: TO-247AC
三、电气特性
SIHG30N60E-GE3的电气特性设计得非常出色，漏源电压达到600V，使其在高电压应用中具有良好的适应性。其连续漏极电流为29A，表明在进行大功率应用时可保持稳定的工作性能。
在漏源导通电阻方面，其125mΩ的低值确保了在高负载情况下的高效能和低热量损失，适用于需要高效率的电源设计。此外，栅源阈值电压为4V，能够有效控制MOSFET的开关状态，确保设备运行的可靠性。
四、输入与输出特性
SIHG30N60E-GE3的输入电容（Ciss）在100V下的最大值为2600pF，而栅极电荷（Qg）则为130nC（@ 10V），这表明其在切换速度方面具有良好的表现。较小的输入电容和栅极电荷意味着MOSFET能够快速响应驱动信号，有助于提高开关频率并减小开关损耗。
五、工作温度与封装
该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适合于恶劣环境中使用，使其在工业应用中表现出色。它采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能，有助于提高工作可靠性，并简化冷却设计。
六、应用领域
SIHG30N60E-GE3广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）： 由于其高电压和高电流能力，适合高效的开关电源设计。
- 马达驱动： 可用作各种电机的驱动器，以实现高效控制。
- 逆变器： 适用于光伏逆变器和其他能源转换设备。
- 自动化设备： 在工业自动化中，用于控制和驱动各类负载。
七、总结
总的来说，SIHG30N60E-GE3是一款技术先进、性能稳定的N沟道MOSFET，凭借其出色的电压、电流承载能力以及良好的开关特性，成为了高效电源和驱动系统中的理想选择。其广泛的应用可能性和可靠性，以及VISHAY的品牌保证，使得这一产品在市场中极具竞争力，适合各类现代电子设计需求。