SIA923EDJ-T1-GE3
SIA923EDJ-T1-GE3参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 54 毫欧 @ 3.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 8V | 功率 - 最大值 | 7.8W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
SIA923EDJ-T1-GE3手册
SIA923EDJ-T1-GE3概述
SIA923EDJ-T1-GE3 产品概述
产品简介
SIA923EDJ-T1-GE3 是由 Vishay（威世）公司推出的一款高性能 P 沟道场效应晶体管（MOSFET），采用先进的 TrenchFET® 技术。这款器件的设计旨在提供卓越的电流处理能力和低导通电阻，特别适合于各种高效能电源管理和开关应用。SIA923EDJ-T1-GE3 的关键参数使其在工业、消费类电子和汽车等广泛领域中充当重要的开关及控制元件。
主要特性
FET 类型: SIA923EDJ-T1-GE3 是双 P 沟道场效应晶体管，适合用于逻辑电平门应用，能够在低电压下进行有效的开关控制。
漏源电压（Vdss）: 该器件支持高达 20V 的漏源电压，使其适合各种电源电路的设计，能够承受一定的电压波动。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，SIA923EDJ-T1-GE3 可以持续输出高达 4.5A 的漏极电流，确保其在高负载下的稳定性。
导通电阻（Rds(on)）: 在 Id 为 3.8A 和 Vgs 为 4.5V 的条件下，最大导通电阻仅为 54 毫欧，这使得器件在开关过程中损耗的能量非常低，能够有效提升整体电源效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大阈值电压为 1.4V（@ 250µA），确保在低电压控制下仍可实现快速开启，因此非常适合逻辑电平开关需求。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 8V 条件下，该 MOSFET 的最大栅极电荷为 25nC，保证了驱动的高效性，并降低了开关时间，在高频应用中特别重要。
功率处理能力: SIA923EDJ-T1-GE3 的最大功率处理能力为 7.8W，适用于中等功率的电源管理和开关应用。
工作温度范围: 此器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（TJ），兼容多种苛刻的工作环境，能够在极端条件下保持性能稳定。
封装与安装
SIA923EDJ-T1-GE3 采用 PowerPAK® SC-70-6 双封装，设计紧凑，十分适合于现代电子设备中对小型化、高性能的要求。这种表面贴装型的设计不仅节约了空间，而且方便自动化生产线的装配，提高了生产效率。
应用领域
由于其优良的电气特性和宽广的工作温度范围，SIA923EDJ-T1-GE3 被广泛应用于：
- 开关电源: 高效的电源转换和管理。
- 汽车电子: 适合于汽车控制系统中的高可靠性要求。
- 工业控制系统: 用于电机驱动及其他控制模块。
- 消费类电子: 在各种通信和多媒体设备中，用作开关和信号控制。
总结
SIA923EDJ-T1-GE3 是一款强大且可靠的 P 沟道 MOSFET，结合了高电流处理能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，适用于多种应用场景。其紧凑的封装设计以及优越的电气性能使其成为现代电子设计中的理想选择。随着对高效率和小型化电子设备需求的不断增加，SIA923EDJ-T1-GE3 在未来的市场中展现出广泛的应用潜力和稳定的发展前景。