SI7489DP-T1-E3
SI7489DP-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 28A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 41mΩ @ 7.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 7.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 5.2W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7489DP-T1-E3手册
SI7489DP-T1-E3概述
SI7489DP-T1-E3 产品概述
产品简介
SI7489DP-T1-E3 是一款高性能 P沟道 MOSFET，具有优异的电气特性和稳定的工作性能，非常适合在高效能电子设备和工业应用中发挥关键作用。由 VISHAY（威世）公司专门设计和制造，这款 MOSFET 在节能和高电流处理能力方面表现杰出，特别适合于电源管理、开关电源和电动机驱动等应用。
主要参数
该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）最高可达100V，能够满足高压电源的需求。同时，其连续漏极电流（Id）在25°C时可达28A，确保在高负载条件下的可靠运行。两者结合，使得 SI7489DP-T1-E3 在高压和高电流的应用场合具备了极大的灵活性。
电气特性
在电气特性方面，该产品的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为3V @ 250µA，确保栅极能有效地控制导通和关断状态。此外，其漏源导通电阻（Rds On）在7.8A和10V驱动条件下达到了41mΩ，表现出较低的导通损耗，有助于提升整体效率和散热性能。这对要求高效能的电力转换应用是十分重要的。
驱动与控制
该 MOSFET 的驱动电压最大值为10V（最小为4.5V），使其适用于各种驱动电路设计。不同的 Id 和 Vgs 条件下，其导通电阻表现稳定，这有助于设计师在选择驱动电路时有更大的灵活性。在频繁的开关操作中，栅极电荷（Qg）最大值为160nC @ 10V，确保了快速开关响应时间，适应高频率操作的需求。
功率处理与散热
在功率耗散方面，SI7489DP-T1-E3 在环境温度为25°C的情况下最大功率耗散为5.2W，而在结温（Tc）为25°C时其功率耗散可达83W，这意味着它具有良好的热管理能力，能够承受更高的功率负载。同时其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，进一步增强了其在各种环境下的适用性。
封装与安装
该产品采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，设计紧凑，便于高密度应用中集成。SO-8 封装特色在于可以有效降低寄生电感和电容，提升开关速度和整体性能，使得 SI7489DP-T1-E3 成为现代电子设计中不可或缺的一部分。
应用场景
SI7489DP-T1-E3 的应用领域非常广泛。它适用于蓄电池管理系统、DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动控制及其他要求高效电能转换的设备。不仅如此，其高温工作能力也使其适用于汽车电子及工业自动化设备中。
总结
总的来说，SI7489DP-T1-E3 是一款功能强大、性能稳定的 P沟道 MOSFET，广泛适用于各种高压和高功率应用。凭借其卓越的电气特性、优异的热管理能力和灵活的驱动要求，该 MOSFET 将为工程师提供一个可靠的解决方案，以满足日益增长的电子设备设计需求。无论是在研发新产品的初期阶段，还是在改进现有产品以提高能效时，SI7489DP-T1-E3 都提供了值得信赖的性能保证，是现代电子设计中理想的选择。