SI7309DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.2W；19.8W 60V 8A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
15155(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.55按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.55
--
100+
￥2.96
--
750+
￥2.75
--
1500+
￥2.61
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3000+
￥2.49
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7309DN-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 115 毫欧 @ 3.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），19.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7309DN-T1-GE3手册
SI7309DN-T1-GE3概述
SI7309DN-T1-GE3 产品概述
1. 概述
SI7309DN-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）公司制造的高性能P沟道MOSFET，它采用了先进的PowerPAK® 1212-8封装，旨在提供高效的电源管理解决方案。该元件广泛应用于开关电源、电机控制以及电源管理电路等场景，其设计特性使其具备良好的热导效率和高功率处理能力。
2. 技术规格
- FET类型：P沟道
- 封装/外壳：PowerPAK® 1212-8
- 漏源极电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：8A（在25°C时，Tc条件下）
- 栅源电压（Vgss）：±20V
- 导通电阻（Rds(on)）：最大115毫欧（在3.9A，10V时）
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大3V（在250μA时）
- 栅极电荷（Qg）：最大22nC（在10V时）
- 输入电容（Ciss）：最大600pF（在30V时）
- 功率耗散：最大3.2W（在环境温度Ta），19.8W（在结温Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（结温TJ）
- 驱动电压：最小4.5V至最大10V
3. 应用领域
SI7309DN-T1-GE3适用于多种电力电子设备的设计中，特别是在如下领域中发挥其优势：
- 开关电源：由于其低导通电阻和高漏极电流能力，适合用于开关电源的输出级。
- 电机驱动：可用于电机控制电路，能够有效地控制电机的启停和调速，提升整个系统的效率。
- 电源管理电路：适合用于电源管理应用中的开关元件，包括负载开关、功率转换等。
4. 性能优势
- 低导通电阻：SI7309DN-T1-GE3 具有较低的导通电阻，这意味着在工作时能够减少功耗，实现更高的效率。这在高电流应用中尤为重要，能够显著降低发热和能耗。
- 宽工作温度范围：该MOSFET能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适合多种环境下的应用，尤其是高温或极端条件下的电子设备。
- 良好的开关特性：其栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)的指标相对较好，意味着能够支持高频开关操作，适用于高效率的开关电源设计。
- 紧凑的封装设计：PowerPAK® 1212-8封装有助于提高电路板的密度，适合空间受限的应用场合。
5. 结论
SI7309DN-T1-GE3 MOSFET是VISHAY公司推出的一款高效能的P沟道场效应管，凭借其优越的电气性能和温度适应性，该产品成为现代电源管理和电机控制的理想选择。其各种应用场景和适宜的规格，使其在电子元器件市场中具备极高的竞争力和广泛的应用潜力。设计师和工程师在选择合适的MOSFET时，不妨将SI7309DN-T1-GE3作为考虑选项，以实现更高效、更稳定的设计方案。