SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5.6W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 65nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1960pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），5.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4835DDY-T1-GE3手册
SI4835DDY-T1-GE3概述
SI4835DDY-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI4835DDY-T1-GE3 是一款由 VISHAY (威世) 公司推出的高性能 P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件专为高效能电源管理和信号处理应用而设计，具备出色的导通特性和低功耗特性。其广泛应用于电源供应、电机驱动、开关电源和各类电子设备中，提供高效可靠的电流控制和转换。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压为 30V，意味着其能够承受高达 30V 的漏源电压。这一特性使其适用于各类中低压的电源应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，该器件的连续漏极电流为 13A。这一特性确保了在多种使用条件下的稳定性和可靠性，适合载流较大的电路设计。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 本产品的栅源极阈值电压为 3V @ 250µA，确保其在较低的栅电压下就能有效启动，适合低电压驱动的应用场合。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10A 和 10V 驱动电压条件下，其漏源导通电阻仅为 18mΩ。这一极低的导通电阻使得 MOSFET 在导通状态下功耗降至最低，从而减少热量产生，提高整体能效。
功率耗散: SI4835DDY-T1-GE3 的最大功率耗散为 2.5W（环境温度 Ta = 25°C）和 5.6W（壳体温度 Tc）。这种高功率散热能力使得该器件在高负荷运作时仍然能保持可靠的工作状态。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于宽温环境下的工业和汽车应用，保证了设备在极端条件下也能稳定工作。
封装与安装
SI4835DDY-T1-GE3 采用 8-SOIC 封装，具有紧凑的尺寸和优良的热管理性能。表面贴装型设计不仅提高了PCB的空间利用率，而且方便自动化装配。同样，SOIC 封装的电气性能也确保了快速信号传输和低电磁干扰。
应用场景
电源管理: 适用于开关电源、LDO 稳压和电源转换器，实现高效能的电源管理和转换。
电机控制: 可用于各种电机驱动应用，包括无刷直流电机和步进电机控制，确保平稳的电流调节。
汽车电子: 该器件在高温环境中表现卓越，适合用于汽车电子控制单元（ECU）、车载电源供应等应用。
消费电子: 在各类家电和消费电子产品中，SI4835DDY-T1-GE3 可以作为低面阻开关，提升产品的能效和可靠性。
总体评价
VISHAY SI4835DDY-T1-GE3 P沟道 MOSFET 以其卓越的电气性能、宽广的应用范围和优秀的热管理特性，成为了电源管理、汽车电子和消费类电子产品中可靠且经济的选择。无论是低压启动还是高电流传输，SI4835DDY-T1-GE3 都提供了极为出色的解决方案，适合现代电子产品的需求，展示了 VISHAY 在创新和技术方面的领先地位。