SI4134DY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；5W 30V 14A 1个N沟道 SO-8
库存 :
9455(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.06按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.06
--
100+
￥0.818
--
1250+
￥0.694
--
2500+
￥0.588
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4134DY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 846pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4134DY-T1-GE3手册
SI4134DY-T1-GE3概述
产品概述：SI4134DY-T1-GE3 N沟道MOSFET
一、基本信息
SI4134DY-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用8-SOIC封装，适合表面贴装（SMT）应用。该器件的主要参数包括额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）可达14A，广泛应用于电源管理、电动机驱动以及其他需要高效能的开关电源及信号处理电路。
二、技术规格
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
- FET类型：N沟道
- 漏源极电压（Vdss）：30V
- 栅源电压（Vgss）：±20V
- 连续漏极电流（Id）：25°C时14A（Tc）
- 最大Rds(on)：在4.5V与10V驱动电压下，分别提供低导通电阻
- 最大导通电阻：14毫欧 @ 10A，10V
- Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：23nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：846pF @ 15V
- 功率耗散：最大2.5W（Ta），最大5W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
三、主要特性
高效能开关特性：SI4134DY-T1-GE3具备极低的导通电阻（Rds(on)），在实现高电流和高电压操作时具有极小的能量损耗，使其成为高效开关电源设计的理想选择。
宽工作温度范围：该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适合多种苛刻环境下的应用，包括工业和汽车电子等领域。
表面贴装设计：采用8-脚SOIC封装，便于在现代电子产品中实现高密度布局，提高生产效率并降低PCB的总设计和生产成本。
低栅极驱动电压：该MOSFET在4.5V及10V驱动电压下保持低导通电阻，适合于多种控制器输出的直接驱动，从而减少驱动电路的复杂性，简化电路设计。
四、应用场景
SI4134DY-T1-GE3适用于以下应用场景：
- DC-DC转换器：在开关电源中作为开关元件，提供高效能和高频操作。
- 电动机驱动：作为H桥电路中的开关元件，实现电动机的正反转控制。
- 电池管理系统：在电池管理系统中用于监测和控制电池充放电过程。
- LED驱动电路：作为驱动开关，为LED提供稳定的电流，确保其正常工作。
- 信号放大器电路：在信号处理电路中作为开关元件，提高信号的传输效率。
五、总结
作为一款高效的N沟道MOSFET，SI4134DY-T1-GE3具备低导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围，适应多种电源管理及控制应用，其优异的性能和可靠性使其在现代电子产品设计中备受青睐。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，SI4134DY-T1-GE3都是设计师和工程师的理想之选。通过采用该器件，工程师能够在保证性能的同时优化电路设计，提高最终产品的市场竞争力。