SI2365EDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-236
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W；1.7W 20V 5.9A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
6972(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.829按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.829
--
200+
￥0.572
--
1500+
￥0.52
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2365EDS-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-236 |
SI2365EDS-T1-GE3手册
SI2365EDS-T1-GE3概述
SI2365EDS-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI2365EDS-T1-GE3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET（绝缘栅场效应晶体管），由知名电子元件制造商 VISHAY（威世）生产。该 MOSFET 采用 TO-236 表面贴装封装设计，具有紧凑的外形和优良的电气性能，广泛应用于各种电子电路中，尤其在需要高效率和低功耗的场景中表现优异。
二、主要特性
封装与规格
- 封装类型：TO-236，SC-59，SOT-23-3
- 体积小巧，非常适合高密度电路布置的需求。
电气性能
- 漏源极电压 (Vdss): 最高可承受 20V，适用于低电压环境的应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可持续承载 5.9A，提供了充分的输出能力。
- 栅源电压 (Vgss): 最大值为 ±8V，确保与各种控制电路兼容。
导通特性
- 在 4.5V 的栅源电压下，其最大导通电阻 (Rds On) 为 32 毫欧，表明其在开启状态下的低功耗特性，适用于高效电源管理及信号开关。
- 门极阈值电压 (Vgs(th)) 的最大值为 1V（在 250µA 下），确保在接近于低电压的信号条件下也能顺利开启。
驱动电压
- 提供了多个驱动电压选项（1.8V 和 4.5V），使其能适应多样化的控制信号和不同的电路设计需求。
功率及热特性
- 最大功率耗散为 1W（在环境温度下）和 1.7W（在芯片温度下），符合现代电子设计对温度和散热的严格要求。
- 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，确保在极端环境下也能稳定工作。
三、应用领域
SI2365EDS-T1-GE3 适用于各种电子设备和系统，包括但不限于：
- 电源管理: 由于其低导通电阻和高电流能力，适用于开关电源和DC-DC转换器。
- 信号开关: 可用于控制信号通路的开关，在通信和数据处理设备中得到广泛应用。
- 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中以及过流保护上提供高效控制。
- 工业控制: 在各类工业自动化设备中承担开关和控制的角色。
四、总结
SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET 是一款功能强大、性能优良的 P 沟道场效应管，凭借其小巧紧凑的封装、出色的电气性能和广泛的应用范围，成为了当今电子设计领域不可或缺的组件之一。无论是在电源管理、信号开关还是其他高要求的电子应用中，其卓越的性能和可靠性都为设计师提供了理想的解决方案。通过选用 SI2365EDS-T1-GE3，工程师们可以提高系统效率，降低功耗，实现更高效的电路设计。