漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.5A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 88mΩ @ 3.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.1W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 88 毫欧 @ 3.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.2nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 340pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 1.1W(Ta),1.8W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2307CDS-T1-GE3 是威世(VISHAY)生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),本产品采用SOT-23-3(TO-236)封装,专为需要高效能、小尺寸的应用设计。其漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)为3.5A,适用于广泛的电子设备和电源管理解决方案。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 3.5A(25°C时)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 88mΩ @ 3.5A, 10V
功率耗散: 1.1W(Ta=25°C),1.8W(Tc)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: SOT-23-3(TO-236)
SI2307CDS-T1-GE3广泛适用于各种电子应用,主要包括:
SI2307CDS-T1-GE3 P沟道MOSFET结合了先进的技术和可靠的电气性能,能够为电子设计师提供一种高效、经济且耐用的解决方案。无论在消费电子、工业控制还是电源管理方面,该MOSFET都能发挥重要作用。随着现代电子设备需求的不断增长,SI2307CDS-T1-GE3 将继续为各类应用提供强大的支持,成为设计工程师的理想选择。