SI2302DDS-T1-GE3
SI2302DDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.9A(Tj) |
| 栅源极阈值电压 | 850mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 57mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 710mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Tj） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 710mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2302DDS-T1-GE3手册
SI2302DDS-T1-GE3概述
SI2302DDS-T1-GE3 产品概述
概述 SI2302DDS-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，由知名电子元器件制造商Vishay（威世）推出，广泛应用于各种电子电路中的开关和放大器组件。其设计理念是为满足现代电子产品对高效能、小体积和低功耗的需求而开发，适合于多种电子设备的要求。
基本参数和性能 该器件的主要规格如下：
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 2.9A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 850mV @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 57mΩ @ 3.6A, 4.5V
- 最大功率耗散: 710mW（在25°C时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
SI2302DDS-T1-GE3的漏源电压为20V，使其适用于低到中等电压的应用场合。而其连续漏极电流能力达到2.9A，足以满足一些要求高电流承载能力的电路需求。对于传输和模块化设计，其低导通电阻57mΩ显著减小了功率损耗，增加了系统的效率。
特性 SI2302DDS-T1-GE3在驱动电压方面具有良好的灵活性。其最大Rds(on)可在2.5V至4.5V之间实现，这使其在不同的应用场景下都能保持卓越的性能。此外，该器件的栅极电荷仅为5.5nC @ 4.5V，意味着在高频率开关操作中也能实现较低的驱动功耗。
更为重要的是，其设计允许最大栅源电压（Vgs）达到±8V，为用户在驱动电路中提供了更大的设计空间。这种特性使得SI2302DDS-T1-GE3在应用的灵活性和适应性上具有显著优势。
封装与安装 该型号采用SOT-23-3（TO-236）封装，适合表面贴装（SMD）技术，有助于节省空间并且易于集成于多种PCB设计中。小型封装不仅有利于提高电路密度，同时也利于热管理和功耗的降低。
应用场景 SI2302DDS-T1-GE3广泛应用于消费电子、计算机和通信设备。其高效的开关性能和低功耗，使其适用于电源管理、马达驱动、开关电源、高频开关和其他信号放大等多种应用中。此外，考虑到其耐温范围及机械强度，该MOSFET也适合于工业控制、电池供电设备和车载电子设备等要求较高的场合。
总结 总之，SI2302DDS-T1-GE3是一款具有出色性能和广泛应用潜力的N沟道MOSFET。凭借其小巧的封装、卓越的电气参数及高工作温度能力，它展示了现代半导体技术在低功耗、高效率方面的不断进步。这款器件不仅能够满足工程师在设计中的各种需求，也为最终产品的性能提升提供了有力保障。无论是开发新产品还是升级现有系统，SI2302DDS-T1-GE3都是一个值得考虑的优质选择。