SI1902DL-T1-E3

SI1902DL-T1-E3 产品概述

1. 产品简介

SI1902DL-T1-E3 是 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 N 通道场效应管（MOSFET），其具备出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，特别适用于低功耗和高效能的电路设计。这款 MOSFET 具有 270mW 的最大功率承载能力，漏源电压（Vdss）最大可达 20V，适合用于开关电源、负载驱动和信号处理等多个场景。

2. 关键参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD），便于自动化贴片，适合现代电子设备小型化设计。
• 漏极电流 (Id): 最大 660mA，提供良好的输出能力，适合多种负载需求。
• 导通电阻 (RDS(on)): 在 660mA 和 4.5V 的工作条件下，最大导通电阻为 385 毫欧，确保在开关操作时能有效减少功率损耗，提升效率。
• 工作温度范围: 从 -55°C 至 150°C，提供广泛的应用温度范围，适用于恶劣环境中的电子设备。
• 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 下，栅极电荷最大为 1.2nC，简化了驱动设计，适合快速开关应用。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 1.5V @ 250µA，适合逻辑电平驱动，确保灵敏的开关响应。

3. 封装与支持

• 封装类型: SC-70-6（SOT-363），尺寸小巧，非常适合高密度布局应用。
• 品牌: VISHAY（威世），拥有丰富的半导体产品线和良好的行业声誉，产品经过严格测试，保证稳定性和可靠性。

4. 应用场景

SI1902DL-T1-E3 可以应用于多种电子电路，如：

• 开关电源：作为开关控制元件，提高电源效率和稳定性。
• 电池管理系统：在电池充放电过程中提供精确控制，延长电池寿命。
• LED 驱动：用于 LED 照明应用中，控制电流，提升亮度并减少功耗。
• 信号开关：在低功耗应用中快速切换信号，优化系统性能。

这种 MOSFET 的逻辑电平驱动特性使得它可以直接与微控制器或逻辑 IC 连接，简化了电路设计，提高了灵活性和效率。

5. 总结

SI1902DL-T1-E3 是一款功能强大且高性能的 N 通道 MOSFET，适合检测和控制电流的各种应用。其紧凑的封装、高效的电气特性和广泛的工作温度范围，使其成为现代电子设计中的理想选择。凭借 VISHAY 的品牌可靠性和卓越的客户支持，SI1902DL-T1-E3 无疑为开发者和设计工程师提供了强有力的工具，以推动他们的项目向前发展。