SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3参数
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.1A | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 235mΩ @ 1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 420mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 235 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 62pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 420mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
SI1902CDL-T1-GE3手册
SI1902CDL-T1-GE3概述
产品概述：SI1902CDL-T1-GE3
一、产品简介
SI1902CDL-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司制造的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，封装采用 SC-70-6（SOT-363），适合表面贴装的应用。这款 MOSFET 结合了较低的导通电阻和高效的电流处理能力，广泛应用于电源管理和开关电路等领域，尤其适合逻辑电平驱动的快速开关。
二、关键参数
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，SI1902CDL-T1-GE3 的连续漏极电流可达到 1.1A，适用于中等负载的电路设计。
漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压最高可达 20V，充分满足许多低压电源电路的需求。
导通电阻（Rds(on)）：在 1A 的电流和 4.5V 的栅源电压下，导通电阻为 235 毫欧，确保在开启状态下具备良好的导电性，能够有效降低功率损耗。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：在 250μA 的漏电流下，该 MOSFET 的栅源极阈值电压最大为 1.5V，表明其能够在较低的栅压下便实现导通，极大方便了与逻辑电平电路的兼容性。
门电荷（Qg）：在 10V 的栅源电压下，栅极电荷最大为 3nC，体现了其快速开关特性，对于高频开关应用尤为重要。
输入电容（Ciss）：在 10V 的漏源电压下，输入电容最大为 62pF，较低的输入电容使其适应快节奏的数字应用。
工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在严苛环境下的稳定性和可靠性。
功率最大值：在 25°C 的环境下，该器件的最大功率耗散能力为 420mW，可在适度散热的条件中正常运行。
三、应用领域
SI1902CDL-T1-GE3 的设计使其非常适合用于多种电子产品，具体应用包括但不限于：
- 电源开关：在各种电子设备中启用和禁用电源。
- LED 驱动：控制 LED 照明的开关和调光功能。
- 电机驱动：在小型电机控制中，MOSFET 通常作为开关元件使用。
- 数字电路中的逻辑开关：在数字电路中，MOSFET 被广泛用作逻辑开关，以实现快速的开关操作。
四、总结
随着电子设备对高效能和小型化的需求日益增加，SI1902CDL-T1-GE3 以其卓越的性能成为市场上的热门选择。此 MOSFET 以其低导通电阻和高驱动能力，尤其适合在电力管理、LED 驱动和各种逻辑电平开关应用中发挥关键作用，满足了现代电子产品对小型和高效半导体器件的需求。选择 VISHAY 的 SI1902CDL-T1-GE3，将为设计师提供可靠的解决方案，以支持他们在不断发展的电子设备领域中的创新。