SCTW100N65G2AG

SCTW100N65G2AG 产品概述

产品简介

SCTW100N65G2AG 是一款高性能的 N 通道氮化硅 (SiC) 功率 MOSFET，具有650V的漏源电压（Vdss）和100A的连续漏极电流（Id）。作为一款汽车级别的器件，符合 AEC-Q101 认证标准，旨在满足高可靠性和高效率的应用需求。

关键特性

• N 通道技术：该 MOSFET 是使用先进的 SiC 技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和优越的热性能。这使得 SCTW100N65G2AG 在高负载电流下，能够有效降低功耗和提高可靠性。
• 漏源电压 (Vdss)：适合于650V的应用场景，涵盖了大部分中高压电源转换器、逆变器及电动汽车动力系统等应用，确保在高电压环境中仍具备良好的工作稳定性。
• 导通电阻 (Rds(on))：在 Vgs = 18V 和 Id = 50A 时，导通电阻最大值为 26 毫欧，意味着该器件可提供高效的电流传输，降低热损耗，提升系统的整体效率。
• 栅极电压 (Vgs)：本器件的驱动电压最大值为 +22V 和 -10V，使其在不同的控制电压下均具备良好的响应速度和稳定性。该特性使得 SCTW100N65G2AG 能够适配多种驱动电路设计，从而在不同的工作条件下保持高效控制。
• 栅极电荷 (Qg)：当 Vgs 为 18V 时，栅极电荷最大值为 162nC，显示出其在切换过程中所需的驱动能力。这一特性对于高频开关应用尤为重要，能够帮助设计者优化开关频率和整体效率。
• 工作温度范围：该MOSFET能够在-55°C至200°C的广泛温度范围中稳定工作，适应各种恶劣环境，特别适合于汽车电子和航空航天等高温场合。

应用领域

SCTW100N65G2AG 的应用场景十分广泛，主要包括：

• 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：在电池管理系统、逆变器和电动驱动系统中，作为高效的开关组件，帮助提高电能转换效率和扭矩输出。
• 超高效电源转换器：在工业电源、机器人、电力变换、无线充电等应用中，可以有效提高功率密度和电能转换效率。
• 可再生能源系统：如光伏逆变器和风能发电系统，能够在高电压和高频率下提供可靠的电能转换。

技术规格

• 漏源电压 (Vdss): 650V
• 连续漏极电流 (Id): 100A
• 最大 Rds(on): 26 毫欧 (在 50A@18V 时)
• 输入电容 (Ciss): 3315pF @ 520V
• 功率耗散 (Pmax): 420W (在结温Tc条件下)
• 封装类型: TO-247-3 (HiP247™)

结论

SCTW100N65G2AG 是意法半导体（ST）推出的一款高效能汽车级 SiC MOSFET，凭借其低导通电阻、高温适应性和广泛的应用范围，成为现代电源管理和电动汽车应用的重要选择。无论是对能效的严格要求，还是对高可靠性的期待，SCTW100N65G2AG 都能以其优越的性能满足挑战。