S1M-E3/5AT
S1M-E3/5AT参数
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | 封装/外壳 | SMA(DO-214AC) |
| 反向漏电流IR | 5µA@1000V | 反向恢复时间（trr） | 1.8µs |
| 正向压降VF | 1.1V@1A | 平均整流电流IF | 1A |
| 反向耐压VR（最大值） | 1000V（1kV） | 二极管类型 | 标准 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 1A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 1.8µs |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 1000V | 不同 Vr、F 时电容 | 12pF @ 4V，1MHz |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
S1M-E3/5AT手册
S1M-E3/5AT概述
S1M-E3/5AT 产品概述
产品名称: S1M-E3/5AT
类型: 常规整流二极管
封装形式: DO-214AC (SMA)
品牌: VISHAY(威世)
基础参数
S1M-E3/5AT 是一款表面贴装(SMT)类型的二极管，采用流行的SMA（DO-214AC）封装，适合各种电子设备的应用。其反向耐压达到1000V，能够承受高电压工作环境，确保设备在高电压条件下的稳定运行。该二极管的正向压降（VF）为1.1V@1A，在满负载条件下提供良好的正向导电性能，适合中等功率的整流应用。
反向特性
S1M-E3/5AT 具有极低的反向漏电流，达到了5µA @1000V的标准。这意味着在静态条件下，器件对电源的浪费相对较少，适合高效能电源设计。反向恢复时间（trr）为1.8µs，使其在快速切换的应用场合中表现出色，能够满足高频操作需求。
工作温度与应用范围
该产品的工作温度范围为-55°C至150°C，使得S1M-E3/5AT在各种极端环境中依然能够稳定工作，适合汽车电子、工业控制及消费电子等多个领域。无论是高温还是极寒条件下，该二极管均可确保设备的可靠性与安全性。
应用场景
由于其优秀的电气特性，S1M-E3/5AT 非常适合于以下应用：
- 电源整流: 在电源适配器和开关电源中，提供高效的整流性能，降低能量损耗。
- 电压钳位保护: 用于保护敏感电子元件，防止过电压损坏，尤其在瞬态电压抑制（TVS）电路中。
- 逆变器和转换器: 在逆变器和DC-DC转换器中发挥关键作用，确保电流的顺畅流动和能量转化效率。
性能特点
S1M-E3/5AT 的电流 - 平均整流 (Io) 为1A，使其能够应用于各种小型功率电路中。更重要的是，它具备的高反向耐压和低漏电流特性，能够在高压、高温的环境中保持优越的性能。其标准恢复速度也是设计者在高速电路中所需的重要特性。
总结
总体来看，S1M-E3/5AT 是一款多用途的标准整流二极管，凭借其1000V的高反向耐压、1A的平均整流电流、极低的漏电流和优良的反向恢复特性，使其成为各种电子产品的重要元件。无论是用于电源整流、过压保护，还是高频开关应用，S1M-E3/5AT 都能为设计师提供灵活而强有力的解决方案。选择 VISHAY 的 S1M-E3/5AT，为您的电子设计注入可靠性与高度性能，满足现代电子产品对高效能元件的需求。