反向恢复时间(trr) | 500ns | 直流反向耐压(Vr) | 800V |
平均整流电流(Io) | 1A | 正向压降(Vf) | 1.3V @ 1A |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 800V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.3V @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 500ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 800V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | SMA | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
RS1K-13-F 是由 DIODES(美台)制造的一款高效能快恢复二极管,广泛应用于各种电子设备中。该产品具备卓越的电气性能,特别适用于高压和高频率的整流应用。凭借其800V的直流反向耐压(Vr)和1A的平均整流电流(Io),RS1K-13-F 可为用户提供优异的稳定性和有效性,以满足现代电子应用的需求。
反向恢复时间(trr): RS1K-13-F 的反向恢复时间为 500ns,属于快速恢复类型。当电流从导通状态切换到截止状态时,该二极管能够快速恢复,有效降低了开关损耗,从而提升系统的整体效率。
直流反向耐压(Vr): 此款二极管的最大反向耐压可达到800V。在高压应用中,可有效防止电流反向导致的损坏,增强设备的可靠性。
平均整流电流(Io): RS1K-13-F 支持的平均整流电流为1A,适用于多种功率下的应用,如电源适配器、电机驱动器等。
正向压降(Vf): 在1A的负载条件下,该二极管的正向压降仅为1.3V,较低的压降有助于减少能量损耗,提高设备的整体效率。
反向泄漏电流: 当在800V的条件下,二极管的反向泄漏电流为5μA,显示出其良好的绝缘性能和低 leakage 特性,这对提高电源转换效率和延长电池使用寿命十分重要。
电容量: 在4V和1MHz的工作频率下,电容值为15pF,适合高频应用,可降低信号延迟和扭曲。
RS1K-13-F 的设计使其非常适合用于以下应用场景:
RS1K-13-F 采用 DO-214AC (SMA) 封装,属于表面贴装型(SMD)元器件,便于自动化生产和高密度电路板应用。此外,封装设计也确保了优异的热管理和电气性能,适合在较高的工作温度下使用:-65°C 至 150°C 的广泛工作温度范围保证了其在恶劣环境中的稳定性和可靠性。
总结而言,RS1K-13-F 是一款高效能、高可靠性的快恢复二极管,凭借其出色的技术参数和封装设计,让它在电子行业中的诸多应用中占有一席之地。无论是在电源管理、逆变器还是各类整流电路中,RS1K-13-F 都能保证卓越的性能表现,适应现代电子设备对高压、高效率和低能耗的需求,是设计工程师们理想的选择。