注：图像仅供参考，请参阅产品规格
RRR040P03TL
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
TSMT3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 30V 4A 1个P沟道 SC-96
库存 :
9(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.997按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.997
--
200+
￥0.767
--
1500+
￥0.667
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
RRR040P03TL参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.5nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TSMT3 | 封装/外壳 | SC-96 |
RRR040P03TL手册
无数据
RRR040P03TL概述
RRR040P03TL 产品概述
1. 产品概述
RRR040P03TL 是一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），制造商为知名半导体供应商 ROHM（罗姆）。该器件设计用于各种电子电路中，如开关电源、功率放大器、马达驱动器和其他需要高效电源控制的应用。RRR040P03TL凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，成为现代电子设计中的理想选择。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 30V，这使其适用于低压直流电源和控制电路。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，RRR040P03TL能够承受的连续漏极电流为4A，适合应用于需要中等电流的场合。
- 栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压为2.5V（在1mA时测得），这一参数确保了器件能够在较低的驱动电压下工作，提高了设计的灵活性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在4A、10V条件下，漏源导通电阻为45mΩ，表现出优良的导通性能，能有效降低功耗，提高系统效率。
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 此器件的最大功率耗散为1W，使其在处理功率时具有良好的热管理能力。
- 工作温度: 该器件具有出色的耐高温性能，其工作温度上限为150°C（TJ），适合在高温环境中应用。
- 封装类型: 采用表面贴装型设计，封装形式为SC-96，便于自动化贴装，适合现代电子产品的生产需求。
3. 应用领域
RRR040P03TL 适用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 其高效的导通性能和较低的导通电阻使其在开关电源场合表现出色。
- 马达驱动: 能够有效控制马达的启停和功率分配，适合在电动机驱动电路中使用。
- 电子负载: 在电子负载测试中，其稳定性和可配置性也非常重要。
- LED 驱动: 由于控制精确，RRR040P03TL 也广泛用于高效的 LED 驱动电路。
4. 设计优点
- 高效能耗管理: 低导通电阻和优越的温度特性使其在处理大电流时损耗更小，更加节能。
- 小型化: SC-96 封装能够帮助设计人员最大限度地节省空间，提高产品的整体集成度。
- 温度适应性强: 高工作温度范围为设计提供了灵活性，能够在各种复杂的工作环境下稳定运行。
5. 结论
综合来看，RRR040P03TL MOSFET 是一款高性能、多用途的P沟道场效应管，凭借其卓越的电气特性和稳健的设计，广泛适用于多种电源管理和控制应用。在未来的电子产品设计中，其高效能、良好的热性能及适应性将为各类应用提供强有力的支持。选择 RRR040P03TL，能够提升产品性能，降低能耗，为客户创造更大的价值。