PUMX1,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PUMX1,115

商品编码: BM0000287184
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.038g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 40V 100mA NPN SOT-363
库存 :
26(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.786
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.786
--
200+
¥0.262
--
1500+
¥0.164
--
3000+
¥0.113
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PUMX1,115参数

晶体管类型2 NPN(双)集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce40V额定功率300mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装6-TSSOP

PUMX1,115手册

PUMX1,115概述

产品概述:PUMX1,115

1. 产品简介

PUMX1,115 是一款高性能双 NPN 晶体管,专为满足现代电子设备中对高频率、高效率和高稳定性要求而设计。作为一款具有双通道结构的晶体管,它集成了多种先进技术,适用于一系列广泛的应用场合,包括但不限于音频放大、电源管理、开关电路和信号处理等领域。

2. 主要特性

  • 类型: 双 NPN 晶体管
  • 集电极电流 (Ic): 最大 100mA,适合多种负载驱动要求。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最高可达 40V,确保在较高电压环境下稳定工作。
  • 额定功率: 300mW,适合中等功率信号处理,在控制电源浪涌和过载方面表现出色。
  • 饱和压降: 最大 200mV @ 5mA 和 50mA,具有良好的开关性能,降低了能耗。
  • 截止电流 (ICBO): 最大 100nA,确保在关断状态下能有效地抑制漏电流,从而延长电池使用寿命。
  • 电流增益 (hFE): 最低 120 @ 1mA,6V,保证了工作时的增益稳定,为信号放大提供保障。
  • 频率响应: 可达 100MHz,适用于高速开关和高频信号处理的应用。
  • 工作温度范围: 可达到 150°C(TJ),显示出良好的热稳定性,适合高温环境。

3. 封装与安装

PUMX1,115 采用 6-TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)封装,紧凑的尺寸使其适合于各种小型电子设备。表面贴装型的设计,方便在现代自动化生产线上的快速安装与焊接。此外,该封装也利于提升散热性能,确保器件在工作时始终处于安全的温度范围内。

4. 应用领域

PUMX1,115 广泛应用于以下领域:

  • 音频放大器: 在音频处理电路中,利用其高增益特性进行信号放大,提高音质表现。
  • 开关电源: 可用于开关电源(SMPS)中,进行高效率的功率转换,减少能量损耗。
  • 信号处理: 用于各类信号处理电路,能够有效传输高频信号,确保信息的完整性。
  • 电子设备: 适用于消费电子产品中的信号开关和放大功能,保证电子产品的高效性和稳定性。

5. 性能评估

PUMX1,115 的高频特性与低饱和压降使其在实际应用中表现出色,尤其是在需要快速开关和高效率的条件下。根据实际测试数据,其在常见应用场景中的性能稳定,能够有效地处理高频率信号和低电压电流。

6. 结论

作为 Nexperia(安世)推出的重要产品,PUMX1,115 将双 NPN 晶体管的高性能特性与现代电子应用的需求相结合,能够广泛用于各类电路设计。其优异的电气特性、耐高温的能力以及小型化的设计,使其成为电子工程师和设计师在构建新一代电子设备时的一种理想选择。通过采用 PUMX1,115,用户能够获得更高的系统集成度和更好的产品性能,从而推动电子技术的不断创新与发展。

在选择和应用 PUMX1,115 时,设计师应仔细考虑其工作条件及环境,以确保其在最佳性能范围内运行,带来更优秀的产品表现。