晶体管类型 | 2 NPN(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMX1,115 是一款高性能双 NPN 晶体管,专为满足现代电子设备中对高频率、高效率和高稳定性要求而设计。作为一款具有双通道结构的晶体管,它集成了多种先进技术,适用于一系列广泛的应用场合,包括但不限于音频放大、电源管理、开关电路和信号处理等领域。
PUMX1,115 采用 6-TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)封装,紧凑的尺寸使其适合于各种小型电子设备。表面贴装型的设计,方便在现代自动化生产线上的快速安装与焊接。此外,该封装也利于提升散热性能,确保器件在工作时始终处于安全的温度范围内。
PUMX1,115 广泛应用于以下领域:
PUMX1,115 的高频特性与低饱和压降使其在实际应用中表现出色,尤其是在需要快速开关和高效率的条件下。根据实际测试数据,其在常见应用场景中的性能稳定,能够有效地处理高频率信号和低电压电流。
作为 Nexperia(安世)推出的重要产品,PUMX1,115 将双 NPN 晶体管的高性能特性与现代电子应用的需求相结合,能够广泛用于各类电路设计。其优异的电气特性、耐高温的能力以及小型化的设计,使其成为电子工程师和设计师在构建新一代电子设备时的一种理想选择。通过采用 PUMX1,115,用户能够获得更高的系统集成度和更好的产品性能,从而推动电子技术的不断创新与发展。
在选择和应用 PUMX1,115 时,设计师应仔细考虑其工作条件及环境,以确保其在最佳性能范围内运行,带来更优秀的产品表现。