晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
PUMH9,115 是由Nexperia(安世)公司生产的一款高性能数字晶体管。这款器件采用了先进的预偏置技术,集成了两个NPN晶体管,适用于多种电子应用场景。其设计旨在满足现代电子电路对高效能和紧凑型封装的需求,尤其适合移动设备、家电和其他需要高集成度解决方案的场合。
PUMH9,115广泛应用于电子产品中的开关和放大电路,包括但不限于:
PUMH9,115是一种功能强大且多用途的数字晶体管,适用于多种电子产品的开关和放大应用。凭借其优异的性能参数、良好的功效和空间效率,PUMH9,115为开发者提供了理想的选择,不论是在消费者电子、工业控制还是汽车电子领域。同时,Nexperia作为领先的电子元件制造商,为该产品提供了可靠的品质保证,使其在激烈的市场竞争中独树一帜。