PMV40UN2R
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
TO-236AB
包装 :
编带
重量 :
0.024g
描述 :
场效应管(MOSFET) 490mW 30V 3.7A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
887(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.534按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.534
--
200+
￥0.345
--
1500+
￥0.301
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3000+
￥0.266
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMV40UN2R参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.7A |
| 栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 44mΩ @ 3.7A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 490mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 3.7A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 635pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 490mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
PMV40UN2R手册
PMV40UN2R概述
产品概述：PMV40UN2R N沟道MOSFET
一、基本信息 PMV40UN2R是一款由安世（Nexperia）生产的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计旨在满足多种功率电子应用的需求。具备高效能和可靠性的同时，该产品适用于低功率的开关和放大电路，提供了理想的电流控制解决方案。
二、器件特性
电气规格
- 漏源电压（Vdss）: 最大30V，适用于低压环境下的开关操作。
- 连续漏极电流（Id）: 达到3.7A（在25°C环境下），适合中小功率的负载控制。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 44mΩ（在3.7A和4.5V条件下），这一低导通电阻极大地减少了功耗和热量生成，提升了效率，是设计高效率电源管理电路的重要参数。
- 最大功率耗散: 490mW（在25°C下），适合作为主要的开关元件，还能够有效防止因过热导致的故障。
栅极电压特性
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 900mV @ 250μA，适合低电平驱动系统，能够在较低电压水平下开启。
- 驱动电压: 可在1.8V至4.5V之间操作，在这种范围内，器件保持良好的导通特性。
电容特性
- 输入电容（Ciss）: 635pF @ 15V，表明该元件在高频应用中的适应性和稳定性。
温度范围和封装信息
- 工作温度: 承受范围为-55°C至150°C，适用于各种极端环境条件下的应用。
- 封装类型: TO-236AB，SOT-23-3封装。这种小型表面贴装型设计适合高密度的电路板布局，有利于协调现代电子设计的轻量化要求。
三、应用场景
PMV40UN2R的设计十分灵活，适合广泛的应用场景，包括但不限于：
- DC-DC转换器: 用于稳压模块和电池管理系统中，通过其低导通电阻有效提高转换效率。
- 负载开关: 在各种家电、移动设备和便携式设备中作为功率开关，控制设备的电源开启与关闭。
- 电机驱动: 适合用于小型直流电机的速度控制，能够实现精确的电流调节。
- LED驱动: 以良好的开关特性，控制LED灯泡的驱动电流，实现更好的亮度调节。
四、技术优势
PMV40UN2R的优势在于其综合性能，额外的低导通电阻和宽广的工作温度范围使其既经济又高效。此外，其小巧的封装设计无疑为现代电子产品设计提供了更大的灵活性，使其在多种条件下都能有效工作。
五、总结
PMV40UN2R N沟道MOSFET是一款兼具性能与可靠性的电子元器件，广泛应用于各类电子设备中。其高效能特征、稳健的温度操作范围及市场领先的封装方式，使其成为设计工程师们理想的选择。无论是低功率开关应用还是高频电源转换，PMV40UN2R都展现出其卓越的电气性能和设计适应性。