PMF170XP,115
PMF170XP,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A |
| 栅源极阈值电压 | 1.15V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 200mΩ @ 1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 290mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.15V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.9nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 280pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 290mW（Ta），1.67W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
PMF170XP,115手册
PMF170XP,115概述
PMF170XP,115 是一款由安世（Nexperia）生产的高性能 P 沟道 MOSFET，其设计主要面向电源管理和开关电路应用。该器件基于先进的金属氧化物半导体（MOS）技术，提供了高效的电流控制和低导通损耗，适合广泛的电子设备和系统。
产品概述
基本规格与参数
PMF170XP,115 的主要参数包括：漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）为 1A（在 25°C 环境温度下），以及漏源导通电阻（Rds On）最大为 200mΩ，适用于需要较小功耗和高效率的应用场合。其栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 1.15V @ 250µA，这使得该MOSFET在较低的驱动电压条件下即可实现导通，非常适合低电压应用。
功率耗散
PMF170XP,115 的最大功率耗散在环境温度 25°C 时为 290mW，而在结温（Tc）为 25°C 时，其最大功率耗散可达到 1.67W。这种设计使得器件在实际应用中能够较好地管理热量，降低可能出现的热失控风险。
工作温度范围
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），确保其在极端环境下的可靠性和稳定性，因此适合于汽车、工业和航空航天等对温度要求较高的应用。
封装与安装
PMF170XP,115 采用 SOT-323 表面贴装类型封装，符合现代电子设备对小型化和高密度设计的需求。它的封装外形为 SC-70/SOT-323，使得其在 PCB 上的占位小，便于多通道的集成。表面贴装的设计还能够有效减少引线的电感，提高器件在高频应用下的性能表现。
应用领域
PMF170XP,115 适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理：由于其低导通电阻和高效率特性，可用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配模块。
- 开关电路：适合用于 MOSFET 开关电路，能够高效地控制电流的开关，提高系统的效率和响应速度。
- 消费电子：适合用于音响设备、充电器、LED 驱动电路等消费类产品中。
- 工业控制：可用于电机驱动和自动化设备的控制模块中，实现高效的能量管理。
性能优势
PMF170XP,115 在性能方面具有显著的优势，主要体现在其低导通电阻和高功率处理能力上。这使得它在连续电流和瞬态电流条件下均具备较低的损耗，同时在高频开关应用中也能够维持良好的工作效率。此外，P 沟道特性使其在负载开关和高侧开关等应用中表现优异，弥补了其他类型 MOSFET 的不足。
总结
总之，PMF170XP,115 是一款具有优秀电气性能和良好热管理特性的 P 沟道 MOSFET，非常适合对功率和效率要求严格的应用。其广泛的工作温度范围和小巧的封装设计使其在现代电子设备中具备极强的适应性，是设计工程师在选择高性能开关元件时的理想选择。选择 PMF170XP,115，将为电路设计带来更出色的性能效果，同时也能确保系统的长期稳定运行。