PMEG4010ER,115
PMEG4010ER,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 40V | 正向压降（Vf） | 490mV @ 1A |
| 平均整流电流（Io） | 1A | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 490mV @ 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50µA @ 40V | 不同 Vr、F 时电容 | 130pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-123W |
| 供应商器件封装 | CFP3 | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
PMEG4010ER,115手册
PMEG4010ER,115概述
PMEG4010ER,115 产品概述
概述
PMEG4010ER,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能肖特基二极管。这款二极管具有优异的电气特性及高可靠性，适合用于广泛的电子应用，如电源管理、逆变器和电池供电设备等。其设计旨在提供低正向压降、高反向耐压，并能承受较高的工作温度，因而在各种严苛环境下均能可靠工作。
主要参数
- 直流反向耐压（Vr）: 40V
- 正向压降（Vf）: 490mV @ 1A
- 平均整流电流（Io）: 1A
- 反向泄漏电流: 50µA @ 40V
- 结温: 最大150°C
- 封装类型: SOD-123W（CFP3）
工作原理
肖特基二极管的工作原理基于金属与半导体的接触。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体接触来形成结，使其具有低正向压降和快速的开关响应特性。此外，肖特基二极管的反向恢复时间较短，通常小于500ns，适合高频应用。
关键特性
低正向压降: 在1A的典型工作电流下，PMEG4010ER,115 的正向压降仅为490mV，这在降低功耗方面表现优异，有助于提升整体系统的能效。
高反向耐压: 该二极管的最大反向电压可达40V，这使其适合用于多样化的电源管理应用，能够适应较高的电压环境。
低反向泄漏电流: 在40V的额定反向电压下，其反向泄漏电流仅为50µA，意味着其在待机状态下的功耗非常低，有助于延长电池使用寿命。
高工作温度: 最大结温可达150°C，使其可以在较高温度环境下运行，适合于工业和汽车等应用领域。
快速开关特性: 其快速恢复特性（<=500ns）使其成为高频应用中的理想选择，能够有效减少开关损失，提高电路的响应速度。
应用场景
PMEG4010ER,115 尤其适合于如下应用：
- 电源管理：用于降压转换器、升压转换器等电源管理模块，可以有效提高转换效率。
- 逆变器：在光伏和风能逆变模块中，提供高效整流支持。
- 焊接和充电电路：在快速充电和电池管理系统中，低压降能够最大化充电效率。
- 消费电子产品：适用于手机、平板电脑及其他便携式设备中的电源管理应用。
封装与安装
PMEG4010ER,115 采用表面贴装型封装（SOD-123W），这种紧凑的封装设计减少了占用空间，适合现代小型电子设备的紧凑布局。该封装形式还方便自动化生产，提高了生产效率。
结论
PMEG4010ER,115 是一款功能强大且高效的肖特基二极管，凭借其低正向压降、高反向耐压和卓越的温度性能，成为许多电源管理和整流应用的理想选择。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域，其可靠性与性能优势将有助于实现更高效的电子设计和系统集成。选择 PMEG4010ER,115，您将享受到安世半导体带来的创新科技与卓越品质。